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Φ6.5mm×8.9mm半导体锗单晶圆片电阻率的测定

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利用四探针技术对Φ6.5mm×8.9mm的半导体锗单晶圆片的电阻率进行测定,并采用了A、B、C等三种选点方案,结果表明:方案B用少量的测试点就能测定和计算出锗单晶的电阻率和不均匀性,它不仅反映出材料的真实性和保证其可靠性,而且简化了试验程序.

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来源
《电子质量》 |2007年第10期|50-52|共3页
作者
闫洪;
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作者单位

昆明冶金研究院,昆明,650031;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TM304.1;
关键词
锗单晶圆片; 四探针法; 电阻率; 不均匀性;

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