TEM分析用的半导体横截面样品的制备和分析的结果

摘要

本文介绍了透射式电子显微镜(TEM)用的横截面样品的制作技术。利用这一技术制出的样品,用TEM观察到了GaAs/AlGaAs超晶格结构中周期性的精细成分调制的新现象。在金属有机化合物汽相沉积(MOCVD)生长的GaAs/si材料中还观察到一些新形状的位错、微孪晶等。这一种制样技术也适用于其他半导体材料系统的研究。