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基于SiGe BiCMOS工艺的片上太赫兹滤波器

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基于SiGe BiCMOS工艺,采用衬底集成波导(SIW)结构设计了几款片上太赫兹滤波器.测试结果中带宽和中心频率分别为20GHz@139GHz、20GHz@168GHz和26GHz@324GHz,结果表明制作的带通滤波器中心频率与设计的偏差很小;滤波器在中心频率的插入损耗为-6dB@139GHz、-5.5dB@168GHz、-5dB@324GHz.

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来源
《第二届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会》|2014年|407-411|共5页
会议地点上海
作者
CUI Bo-hua; 崔博华; LI Yi-hu; 李一虎; XIONG Yong-zhong; 熊永忠;
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作者单位

中国兵工学会太赫兹应用技术专业委员会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN713:TN705;
关键词
片上太赫兹滤波器; 结构设计; 互补金属氧化物半导体工艺;

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