非易失半导体存储器的若干进展

摘要

非易失性半导体存储器是集成电路最重要的技术之一.闪存是目前占据市场统治地位的非易失性存储器.随着微电子技术节点的不断进步,基于多晶硅浮栅的闪存存储器的尺寸逼近其物理极限,无法通过尺寸微缩进一步的提高器件性能和集成密度,难以满足大数据时代的数据存储需求.因此,采用新材料、新结构和新原理发展新型存储器技术以及器件的平面尺寸微缩向三维集成是下一代非易失存储技术的发展趋势.本报告将概述非易失存储领域的发展状况及趋势,并介绍中科院微电子所在纳米晶存储器、电荷俘获型存储器和电阻转变型存储器等方面开展的研究工作及进展.