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季峰; 徐静平; 张洪强; 黎沛涛; 李春霞; 官建国;
华中科技大学电子科学与技术系;
武汉430074;
香港大学电机与电气工程系;
中国香港;
武汉理工大学新材料研究所材料复合新技术国家重点实验室;
武汉430070;
铪钛氧化物; 高k栅介质; 氮化; 淀积后退火;
机译:热退火对纳米MOS器件中含ha氧化物栅极电介质的金属氮化物栅电极电性能的影响
机译:Al_2O_3与ZnO作为HfTiO栅介质的GaAs MOS器件界面钝化层的介电性能比较。
机译:Ti含量和湿N_2退火对含HfTiO栅介质的Ge MOS电容器的影响
机译:用亚纳米EOT HFTIO栅极电介质GE MOS电容器贴沉积退火的影响
机译:砷化镓晶体生长中缺陷,杂质和载体的特征及其对电性能,热稳定性和注入退火特性的影响。
机译:渗碳对2.25Cr-1Mo-0.25V钢退火和不退火的氢扩散/俘获特性的影响
机译:用NH3退火的aLD HfTiO栅介质改善多层mos2晶体管的电性能
机译:辐照和等时退火温度对mOs器件中空穴和电子俘获的影响
机译:稳定PECVD氮化硅的退火工艺,可在MOS器件中用作栅极电介质
机译:用于增强半导体器件电特性的退火
机译:离子注入修饰MOS器件电特性的方法
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