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周春红; 孔月婵; 席冬娟; 陈鹏; 郑有炓;
江苏省光电信息功能材料高技术研究重点实验室南京大学物理系;
铝/氮化铝/硅; 金属绝缘体半导体结构; 极化性质; 界面陷阱态;
机译:Si衬底上生长的Cr-AlN和Mn-AlN薄膜的磁性,电学性质和结构
机译:锡/ Al2O3 / P-Si MIS结构的高温和电压依赖性电学和介电性能
机译:溶胶-凝胶法制备温度对Al / TiO 2 sub> / p-Si(MIS)结构主要电学参数的影响
机译:Si / GaAs(001)界面的MIS结构和肖特基势垒的电学性质
机译:载流子注入下Er:SiO 2 / nc-Si多层膜的电学性质和红外发光。
机译:Si上In0.18Al0.82N / AlN / GaN MIS-HEMT(金属绝缘体半导体高电子迁移率晶体管)的陡峭开关
机译:Al / AlN / N-Si金属 - 绝缘体 - 半导体(MIS)结构的阻抗光谱学
机译:在低温下α(al)(sub 2)O(sub 3),mgal(sub 2)O(sub 4)和alN的热物理性质。 (Thermophysikalische Eigenschaften von(alpha)-al(sub 2)O(sub 3),mgal(sub 2)O(sub 4)und alN im Tieftemperaturbereich)
机译:高强度超细/纳米结构Al / AlN或Al合金/ AlN复合材料的制造方法
机译:制造高强度超细/纳米结构Al / ALN或Al合金/ ALN复合材料的方法
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