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谢玉萍; 吴鹏; 杨正; 尹韶云; 杜春雷; 董连和;
长春理工大学光学工程学院;
中国科学院重庆绿色智能技术研究院集成光电中心;
跨尺度制造技术重庆市重点实验室;
微透镜; 移动掩膜曝光; 反应离子刻蚀; 等比刻蚀; 聚酰亚胺; 各向异性; 光学特性;
机译:使用基于循环CHF_3的反应离子刻蚀工艺对垂直轮廓纳米结构进行氮化硅硬掩模制造
机译:使用基于循环CHF3的反应离子刻蚀工艺对垂直轮廓纳米结构进行氮化硅硬掩模制造
机译:用于HgCdTe刻蚀工艺的干法刻蚀SiO2掩模
机译:反应离子刻蚀技术开发基于聚酰亚胺的微结构器件的生产工艺
机译:复合材料固化过程中聚酰亚胺预浸料压实的工艺模型和基于传感器的优化
机译:基于Au掩模和反应性离子刻蚀的晶圆级分层纳米柱阵列用于有效的3D SERS基板
机译:采用时间复用蚀刻 - 钝化工艺的高纵横比siC微结构深反应离子刻蚀(DRIE)
机译:用于在会员上形成连续图案和不连续图案的投影曝光掩模,使用该掩模的投影曝光的装置,使用该掩模的投影曝光的方法以及制造该投影曝光掩模的方法
机译:太阳能电池的刻印方法,包括在基板上形成刻蚀掩模并进行刻蚀工艺,以及通过刻蚀掩模在基板上形成凸起的标记结构
机译:用于制造微结构的光刻方法,例如动态RAM互连涉及在使用交替相位掩模进行初始曝光之后,使用具有修剪开口的修剪掩模对基板进行曝光
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