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徐均琪; 上坂裕之; 梅原德次; 刁东风;
西安工业大学光电工程学院;
名古屋大学大学院工学研究科;
西安交通大学;
表面波等离子体; 工艺参数; 电子密度; 类金刚石薄膜;
机译:在沉积DLC膜的条件下新型表面波维持等离子体源的等离子体特性
机译:用于窄间隙等离子体工艺的新型电感耦合等离子体源的计算表征
机译:电感耦合等离子体源的计算模型与不同割炬设计和等离子体条件下的实验数据的比较第二部分:理论模型
机译:沉积DLC薄膜条件下新型表面波维持等离子体源的等离子体特性
机译:等离子体增强了硅薄膜的化学气相沉积:利用等离子体诊断技术表征不同频率和气体成分下的薄膜生长。
机译:基于等离子体的CH4转换为更高的碳氢化合物和氢气:揭示反应机理的模型不同等离子体源
机译:不同进气条件下瞬态等离子体点火火焰核生长特性
机译:表面波等离子体处理设备,微波等离子体源和在相同条件下使用的微波引入机制
机译:在电感耦合等离子体(ICP)离子源中不同工艺气体之间快速切换的方法和结构
机译:在电感耦合等离子体(IPC)离子源中不同工艺气体之间快速切换的方法和结构
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