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刘涛; 刘昊; 周建军; 孔岑; 陆海燕; 董逊; 张有涛; 孔月婵; 陈堂胜;
南京电子器件研究所;
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室;
铝镓氮; 氮化镓; 氮化镓增强型; 耗尽型高电子迁移率晶体管; 直接耦合场效应管逻辑; 逻辑门结构; 阈值电压漂移;
机译:AlGaN / GaN HEMT的高温操作直接耦合FET逻辑(DCFL)集成电路
机译:使用选择性Epi去除的GaN中单片集成LED和MOS沟道HEMT的高温特性
机译:集成有增强模式(E模式)MOSFET和耗尽型(D模式)HEMT的GaN基逆变器的高温特性
机译:基于GaN的NMOS数字逻辑门电路与E模式功率GaN MOSHEMT的单片集成
机译:射频磁控溅射生长的GaN薄膜的特性用于制造AlGaN / GaN HEMT生物传感器
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:用3DIC技术制作的逻辑门电路中的sET特性。
机译:GaN E-HEMT互连装置GaN E-HEMT装置
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
机译:形成栅极应力的方法,制造AlGaN / GaN-HEMT的方法以及ALGaN / GaN-HEMT
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