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耿立新; 赵红东; 任星霖; 韩铁成; 刘赫;
河北工业大学电子信息工程学院;
天津300401;
天津金沃能源科技股份有限公司;
天津300382;
InAlN/GaN/BGaN; 阈值电压; 峰值跨导; 亚阈值摆幅;
机译:用于微波功率和高温应用的AlGaN / GaN / BGaN / GaN / Si HEMT的DC和RF特性优化
机译:用于高温(600 $ ^ {circ} {rm C} $)电子的超薄InAlN / GaN HEMT
机译:Inaln / GaN Hemts电学特性辐射变化的特征
机译:不同质子注量下InAlN / GaN HEMT的直流和脉冲特性退化
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:面向增强模式特性的具有双AlGaN势垒设计的嵌入式栅AlGaN / GaN MIS-HEMT研究
机译:具有alGaN背势垒的Lg 50 nm InalN / alN / GaN HEmT的静态和动态特性,适用于高功率毫米波应用
机译:均匀和阶梯掺杂Gaas / alGaas HEmT(高电子迁移率晶体管)的直流,低频和微波特性研究。
机译:Inaln AlGaN Si GaN低薄层电阻GaN通道在Si基板上使用Inaln和AlGan Bi-Lay封盖堆叠
机译:GaN E-HEMT互连装置GaN E-HEMT装置
机译:降低AlGaN / GaN HEMT的栅极漏电流的AlGaN / GaN HEMT方法
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