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董艳锋; 李英;
曲阜师范大学物理工程学院;
河北工业大学材料学院;
GaN; 过渡金属掺杂; 电子结构; 光学性质;
机译:诸着富勒烯CN-Q(n = 42,48和60)的结构,稳定性和电子结构性质掺杂有过渡金属原子(m = sc,Ti,V和Cr):密度函数理论研究
机译:掺杂3d过渡金属的GaN纳米片的结构,电子和磁性性质:第一性原理研究
机译:g-GaN和过渡金属二卤化物的范德华异质结构的电子和光学性质
机译:密度泛函理论研究非金属(N,F,P,Cl,S)掺杂的立方NaTaO3的电子结构和光学性质
机译:GaN,ZnO和(GaN)1-x(ZnO)x的结构,电子和光学性质的第一性原理研究。
机译:电子结构与磁性的理论研究过渡金属二核分子的光学性质
机译:掺杂过渡金属离子的ZnO / mgO和GaN / alN量子结构中自旋电子器件的波函数工程
机译:用第8族过渡金属浅电子俘获掺杂剂,硒掺杂剂和镓掺杂剂以及掺杂的卤化银乳剂掺杂卤化银乳剂晶粒的方法
机译:在sno2纳米结构和纳米结构共掺杂过渡金属(如钴,锰和铁)的三掺杂物中,将铁磁镁,铁磁和半金属矿一体化的概念。
机译:硒化合物的化合物,如二硫辛烯配合物和过渡金属,以及该配合物作为掺杂剂的用途,包含该配合物的有机半导体材料,以及包含配合物的光电或电子结构元件结构元件
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