薄硅层SOI MOSFET击穿电压的二维数值分析

摘要

文章主要分析讨论薄层SOI(绝缘层上的硅)器件的击穿特性。采用两种载流子产生、复合作用的器件模型进行二维数值模拟的方法,揭示了薄硅层OSI MOSFET击穿电压降低是由于漏区附近电场强度增强引起的机理。