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王佃利; 李相光; 严德圣; 丁小明; 刘洪军; 钱伟; 蒋幼泉; 王因生;
南京电子器件研究所;
硅; 横向双扩散金属氧化物场效应晶体管; 脉冲; 背面源; 场板; 硅化钴;
机译:LDMOS器件推动1 kW脉冲功率
机译:新型应变硅沟道RF LDMOS的器件仿真
机译:稀土掺杂富硅ZnO用于多波段近红外发光器件
机译:部分SOI LDMOS功率器件的硅窗极性研究
机译:采用商用0.12微米硅锗HBT技术的30 GHz和90 GHz的Ka波段和W波段毫米波宽带线性功率放大器集成电路,输出功率超过100 mW
机译:具有脉冲功率的可注入蜂窝级光电器件的热分析
机译:系统波形工程可在Si LDMOS的L波段和S波段频率上实现高效工作模式
机译:X波段和Ku波段振荡器高功率传输电子效应器件的研制
机译:完全耗尽的绝缘体上硅(FDSOI)上的横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件,可实现高输入电压
机译:绝缘体(FDSOI)上完全耗尽硅的横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件,可实现高输入电压
机译:用于硅光子学的集成LDMOS器件
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