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于杰; 王茺; 杨洲; 胡伟达; 杨宇;
云南大学光电信息材料研究所;
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室;
温度; 应变SiGe沟道; p-MOSFET; 自热效应;
机译:电学特性对在绝缘体上的SiGe / n-金属-氧化物-半导体场效应晶体管上生长的无应变Si的Si厚度和Ge浓度的影响
机译:应变SiGe p-MOSFET在各种(001)Si凹陷结构上对选择性外延生长的影响
机译:SiGe沟道中Ge含量对高k栅MOS器件电学特性的影响
机译:硅电容对带有应变沟道的肖特基势垒p-MOSFET电气特性的影响
机译:SiGe PMOS器件上的总电离剂量辐射效应和负偏置温度不稳定性
机译:温度和离子对软体动物神经元电流-电压关系和电学特性的影响
机译:使用0.25μmCmOs工艺在siGe虚拟基板上制造压缩应变的埋入沟道$ si_ {0.7} $ Ge $ _ {0.3} $ p-mOsFET
机译:HY-80,HY-100和HY-130钢的强度和断裂特性受各种应变,应变速率,温度和压力的影响。
机译:在应变SiGe上具有应变硅沟道的沟道MOSFET
机译:实质上减少在应变沟道PMOS晶体管的多晶电极上形成SiGe异常生长的方法
机译:基本上减少应变沟道PMOS晶体管多晶电极上SiGe异常生长的形成的方法
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