Si薄膜低温液相外延

摘要

选用Au／Bi合金熔体在低温下实现了硅薄膜的外延生长，外延温度400℃～500℃，采用Sn源内的饱和硅来保护衬底的方法，以防止升温饱和过程中衬底的氧化。运用扫描电镜、C－V法及俄歇能谱对外延膜形貌和结深附近载流子浓度进行了观察和测量。