反应离子刻蚀与离子刻蚀方法的研究与比较

孙静; 康琳; 刘希; 赵少奇; 吉争鸣; 吴培亨; 郝西萍

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反应离子刻蚀与离子刻蚀方法的研究与比较

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在制备所有的NbN超导隧道结的过程中,为了得到良好的隧道结,刻蚀是很关键的一步,我们对反应离子刻蚀(RIE)和离子刻蚀两种不同的方法进行了研究比较.通过对多层结构用三种不同的方法刻蚀,再进行SEM观察切面图像,发现离子刻蚀出来的薄膜边缘,与离子源与基片摆放的方向有很大的关系,而RIE刻蚀的结区边缘较为平缓且结果稳定,有利于我们制备更好质量的超导隧道结.

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来源
《低温物理学报》 |2006年第3期|224-227|共4页
作者
孙静; 康琳; 刘希; 赵少奇; 吉争鸣; 吴培亨; 郝西萍;
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作者单位

南京大学电子系超导电子学研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类超导电性;
关键词
反应离子刻蚀RIE; 离子刻蚀; SEM成像;

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