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曾莉; 税国华; 李杰;
模拟集成电路国家重点实验室;
中国电子科技集团公司第二十四研究所;
功率器件; 离子注入; 硼基区; 集成电路工艺;
机译:高速双多晶硅双极技术的工艺和器件性能,采用硼硅多晶工艺和耦合基注入
机译:超高能硼注入在超结功率(CoolMOS(TM))器件中的应用
机译:Si和SiC功率器件的最新技术和挑战:支持新功率器件性能改进的最新工艺器件技术
机译:使用高能离子注入硼进行场和有源器件掺杂的N沟道MOSFET工艺
机译:通过材料分析,工艺集成和电路仿真,实现钴铁硼氧化镁钴铁硼磁性隧道结器件。
机译:通过镁离子注入实现垂直功率器件的p型氮化镓
机译:功率器件基板系统设计及其组装工艺研究
机译:氮化硼高功率双工器件
机译:通过单离子注入工艺形成具有电压保持场的功率半导体器件,该功率半导体器件包括掺杂的柱和制备工艺。
机译:使用高能硼注入的器件制造工艺
机译:双向,高速功率MOSFET器件,在基区具有深层次的复合中心
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