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李琦; 张波; 李肇基;
电子科技大学 IC 设计中心;
薄外延; 完全; 击穿电压; 模型;
机译:N +浮层对RESURF LDMOS漂移掺杂的影响及其解析模型
机译:线性渐变掺杂漂移区:一种新型横向电压保持层,用于改善RESURF LDMOS晶体管的性能
机译:用于RESURF LDMOS晶体管的基于物理的分析 $ hbox {1} / f $ tex> formula>噪声模型
机译:具有夹层N-P-N层的高压三重RESURF LDMOS热孔注入的抑制:追求高性能和高可靠性
机译:采用创新的“延性层”技术的大功率LDMOS半导体封装的热应力分析
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:n 浮动层对Resurf Ldmos漂移掺杂的影响及其分析模型
机译:碳基电子学在sIC上生长石墨和金刚石薄异质外延层
机译:外延层在薄支撑层上的外延层的制造,该薄支撑层是通过原子种类的注入在基板中生产的,用于光学,光电和电子应用
机译:包括第一和第二LDMOS晶体管的多晶体管器件,其具有通过共享Resurf层在厚度方向上分离的各个漂移区域
机译:包括resurf层和阶梯式栅极的LDMOS晶体管以及相关的系统和方法
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