Gd掺杂对Bi_2Sr_2Ca_(1-x)Gd_xCu_2O_y单晶载流子浓度和各向异性电阻率的影响

摘要

系统地研究了Ｇｄ 掺杂对Ｂｉ２Ｓｒ２Ｃａ１ － ｘＧｄｘＣｕ２Ｏｙ 单晶超导电性及各向异性电阻率的影响．Ｔｃ 满足Ｔｃ／ Ｔｃ，ｍａｘ ＝ １ － ８２ ．６（ ａｘ＋ ｂ）２ ，并随Ｇｄ 含量的增加而下降，这是由于Ｇｄ 掺杂引起载流子浓度减小所导致．在ｘ≥０ ．１９ 时，ρａｂ（ Ｔ） 在Ｔｃ 附近有类半导体行为，ｄρａｂ／ｄＴ随Ｇｄ 含量增大而增大．ρｃ（ Ｔ） 呈半导体行为，并可用唯象公式ρｃ（ Ｔ） ＝ （ ａ／ Ｔ）ｅｘｐ（Δ／ Ｔ） ＋ ｂＴ＋ ｃ 加以描述．电阻率各向异性ρｃ／ρａｂ 随掺杂浓度增大而增大．