首页> 中文期刊> 《低温物理学报》 >掺杂对二硼化镁超导体上临界磁场的影响

掺杂对二硼化镁超导体上临界磁场的影响

摘要

采用二带Ginzburg-Landau(GL)理论模型,考虑到能带有效质量的各向异性,讨论了MgB2超导体的上临界磁场对角度、温度和相干长度的依赖关系.结果表明,替代杂质越多,上临界磁场越强,这与实验结果符合.

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