Department of Physics, Faculty of Science Universiti Putra Malaysia, 43400, Serdang, Selangor, Malaysia;
Department of Physics, Faculty of Science Universiti Putra Malaysia, 43400, Serdang, Selangor, Malaysia;
Department of Physics, Faculty of Science Universiti Putra Malaysia, 43400, Serdang, Selangor, Malaysia;
MgB_2; Si and C; impurity scattering; critical parameters;
机译:超导体的化学键拓扑。 5.二硼化镁和铜酸盐超导体之间的相似性以及亚价镁的作用
机译:无序纳米晶体超导二硼化镁:场内临界电流密度的显着提高
机译:增强磁场依赖性临界电流密度MWCNT掺杂镁二硼化物超导体
机译:Si和C在影响二硼化镁超导体的关键特性方面的作用
机译:晶体各向异性,掺杂,孔隙率和连接性对超导二硼化镁块,线和薄膜的临界电流密度的影响。
机译:镁离子传导Cs的电化学性质研究:PVA基聚合物混合电解质:镁盐晶格能量对EDLC性能的作用
机译:化学掺杂,高上临界场二硼化镁超导线的制备