毫米波10W GaN HEMT功率MMIC

摘要

GaNHEMT具有工作电压高、功率密度大、输出阻抗高、散热性能好等特点，大大扩展了微波功率MMIC的设计空间。特别是在毫米波段，基于GaAspHEMT的毫米波功率MMIC产品工作电压普遍只有6V左右，限制了其进一步提升输出功率的能力。GaNHEMT在毫米波段的工作电压可高达20～24V甚至更高，其在毫米波波段的输出功率能力同样强劲，输出功率密度可高达10W／mm以上，结合SiC衬底优良的散热能力，使其在毫米波段可获得比GaAs技术更好的性能表现。