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黄美浅; 朱炜玲; 章晓文; 陈平; 李观启;
华南理工大学应用物理系;
信息产业部电子第五研究所;
MOS场效应晶体管; 热载流子效应; 阈值电压; 跨导; 退化特性;
机译:混合浅沟槽隔离对应力Si / SiGe沟道HfSiON / SiO_2 p沟道MOSFET的NBTI退化的机械应力效应的沟道长度依赖性
机译:关于n沟道MOSFET热载流子退化的沟道长度依赖性
机译:p体长度对具有横向不对称沟道的高压MOSFET的电学特性的影响
机译:p-MOSFET在模拟操作中的热载流子退化:与沟道长度无关的漏极电导退化的相关性
机译:低k材料作为CMOS中的层间电介质:沉积和处理对N沟道MOSFET特性的影响。
机译:掺硼石墨烯带对沟道长度对晶体管输运特性的影响
机译:碰撞电离过程对纳米硅n沟道MOSFET电流电压特性的影响
机译:减小150纳米以下沟道长度si mOsFET的沟道热电子产生的基极电流
机译:制造用于防止沟道损耗并确保稳定的有效沟道长度的半导体装置的MOSFET的方法
机译:使用沟道限定层的不同角度的侧壁段限定至少两个不同的场效应晶体管沟道长度的方法
机译:带沟栅的双沟道MOSFET
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