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陈堂胜; 孔月婵; 吴立枢;
南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室;
氮化镓; 高电子迁移率晶体管; 金刚石; 转移技术;
机译:GaN HEMT在SI衬底上用金刚石散热器进行高功率应用
机译:改进的HEMT GaN-金刚石复合衬底的热界面
机译:用于GaN HEMT和LED的蓝宝石,SiC,AIN,Si和金刚石衬底材料
机译:金刚石衬底上大直径GaN的研究进展
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:关于碳掺杂GaN中供体/受体补偿比的建模在横向GaN功率Hemts中的单一再现击穿电压和电流塌陷
机译:MBE生长的微波GaN HEMT研究进展 ud在硅和智能Cut TM工程衬底上的 ud用于大功率应用
机译:结合GaN衬底热边界电阻的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)器件的混合多栅模型。
机译:GaN单晶衬底,制造GaN单晶衬底的方法,在GaN单晶衬底上形成的发光元件以及制造该GaN单晶衬底的方法
机译:GaN晶体,GaN自支撑衬底,用于GaN晶体生长的籽晶衬底,GaN晶体制造方法和GaN自支撑衬底制造方法
机译:GaN HEMT器件的背面通孔金刚石直接生长
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