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邱伟彬; 董杰; 周帆; 王圩;
中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心;
选择外延; 边缘尖角; InGaAsP; Ⅴ/Ⅲ比;
机译:窄带选择性MOVPE在半导体表面的迁移效应
机译:InGaAsP / InP窄带选择性金属有机气相外延的表面迁移效应和横向气相扩散效应
机译:GaN极性对MOVPE中迁移增强外延生长ALN生长温度的依赖性
机译:金属有机气相外延(MOVPE)的生长和III-氮化物异质结构的表征,用于电子设备。
机译:的碳环nuleosides 5-homocarbovir外延4- homocarbovir及其环丙胺类似物的对映选择性合成法使用表面式选择性钯介导的烯丙基化
机译:衬底表面制备对不同取向4H-SiC衬底上LP MOVPE GaN外延的影响
机译:mOVpE化合物半导体外延制造技术的进展:从高通量大面积反应堆到集群工具
机译:通过选择性金属有机气相外延(movpe)生产平面外延层的方法
机译:在独立(Al,In,Ga)N衬底上形成的具有改进的MOVPE外延质量(表面纹理和缺陷密度)的III-V氮化物同质外延材料,以及包括该材料的光电和电子器件
机译:从硅衬底表面上去除碳污染层以随后在其上进行选择性硅外延生长的方法以及用于选择性硅外延生长的设备
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