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熊杰; 陶伯万; 谢廷明; 陈家俊; 刘兴钊; 张鹰; 李金隆; 李言荣;
电子科技大学微电子与固体电子学院;
YBCO超导薄膜; CeO2缓冲层; 外延生长; CeO2薄膜; 取向生长; 射频溅射法; 外延薄膜; 蓝宝石衬底; YBa2Cu3O7-δ; 微波表面电阻; 临界转变温度; 临界电流密度;
机译:在1080℃下通过射频溅射外延在c面蓝宝石衬底上生长高度c轴取向的AlN层
机译:使用α-Fe2O3缓冲层通过薄雾化学气相沉积法在a,m和r面蓝宝石衬底上外延生长α-Ga2O3薄膜
机译:水热法在c面蓝宝石衬底上外延生长α-Fe_2O_3薄膜
机译:在r面蓝宝石衬底上生长异质外延单晶铌酸铅镁钛酸铅薄膜。
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:在SrTiO3衬底上制备异质外延LaNiO3薄膜以通过射频溅射生长人工超晶格
机译:化学气相沉积法在蓝宝石和红宝石衬底上外延生长al2O3
机译:在非晶和多晶衬底上薄膜cSi的低温异质外延生长方法以及在非晶,多晶和晶体衬底上的c-Si器件的低温异质外延生长方法
机译:高质量的α-Ga2O3薄膜通过纳米棒图案蓝宝石衬底上的杂交气相外延生长及其制造方法
机译:在蓝宝石衬底上制造氮化镓半导体层的偏外延法和用该方法制造的氮化镓半导体结构
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