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王万录; 廖克俊; 高锦英; 刘爱民;
兰州大学物理系;
金刚石膜; 外延生长; 等离子体; CVD法;
机译:在没有衬底加热的情况下通过等离子CVD在Ge(100)上外延生长的高应变Si上热CVD B掺杂Si膜的电学特性
机译:利用天线边缘微波等离子体CVD在3C-SiC / Si衬底上异质外延生长金刚石膜
机译:在Si(100)衬底上热线CVD生长的外延Si膜和外延击穿模型
机译:通过低能ECR Ar等离子CVD在没有衬底加热的情况下在Si(100)上外延生长的应变Si_(1-x)Ge_x膜的形成和表征
机译:金属有机气相外延法在Si衬底上异质外延生长GaAs。
机译:CVD法在Ge(100)/ Si(100)衬底上生长石墨烯
机译:磁场微波等离子体CVD法研究Si(100)衬底上大面积金刚石的形核和生长
机译:通过电子回旋共振等离子体氧化在(100)si衬底上生长的薄(<10nm)siO(sub 2)膜的结构和界面特性。
机译:在其上生长单晶金刚石的基础材料包括基础衬底,键合的单晶MgO层和异质外延膜,以及在该基础材料上制造单晶金刚石衬底的方法
机译:在非晶和多晶衬底上薄膜cSi的低温异质外延生长方法以及在非晶,多晶和晶体衬底上的c-Si器件的低温异质外延生长方法
机译:Si 1-XY Sub> GE X Sub> C Y Sub>和Si 1-Y Sub> C 的外延和多晶生长通过UHV-CVD在Si上形成Y Sub>合金层
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