射频磁控溅射ZnO多晶薄膜的制备及其荧光光谱

摘要

用射频磁控溅射方法在未进行人为加热的石英玻璃衬底上,生长了良好c轴择优取向的ZnO多晶薄膜。研究了该ZnO薄膜的晶粒大小与其荧光光谱的关系,发现369 nm的本征峰和406 nm的缺陷峰随着薄膜晶粒的增大晶界应力的增加而出现红移,但469 nm的缺陷峰峰位却基本保持不变,并对各峰的形成和强度大小的变化规律作出了相应的解释。