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张小玲; 谢雪松; 吕长治; 李岩; 李鹏; 冯士维; 李志国;
北京工业大学电子信息与控制工程学院;
氮化镓; 高电子迁移率器件; 高温性能;
机译:用于微波功率和高温应用的AlGaN / GaN / BGaN / GaN / Si HEMT的DC和RF特性优化
机译:质子辐照高压AlGaN / GaN HEMT中关态器件特性的高光谱电致发光特性
机译:对毫米波AlGaN / GaN HEMT的直流和小信号特性的器件结构的系统研究
机译:肖特基栅极AlGaN / GaN HEMT器件的直流响应高温特性的分析模型
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:薄Algan屏障PT-AlGaN / GaN HEMT气体传感器的响应增强在高温下源连接栅极配置
机译:通过低频s参数测量和基于TCaD的物理器件仿真识别微波功率alGaN / GaN HEmT中的GaN缓冲阱
机译:si,GaN和alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)晶片的非接触迁移率,载流子密度和薄层电阻测量。
机译:兼容SI-CMOS工艺的Algan / GAN异质结HEMT器件及其制造方法
机译:氟化石墨烯钝化的AlGaN / GaN基HEMT器件及其制造方法
机译:AlGaN / GaN HEMT器件的制造方法
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