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赵岩; 吴立枢; 石归雄; 程伟; 栗锐; 陈堂胜; 陈辰;
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室;
南京电子器件研究所;
半导体技术; 外延层转移; 化合物半导体; 集成技术; 晶体管; 芯片;
机译:基于GaAs的pHEMT器件结构中In_xGa_(1?x)As外延层的定量应变和组成研究
机译:高性能GaAs pHEMT SPDT MMIC开关的外延层设计
机译:通过外延层转移,GaAs Phemt对GaAs Phemt的晶圆级集成
机译:InAs / GaAs短周期应变层超晶格的分子束外延生长。
机译:利用原子层沉积的TiO2 / Al2O3栅叠层表征外延GaAs MOS电容器:Ge自掺杂和p型Zn掺杂的研究
机译:基于GaAs外延层对微系统应用的GaAs外延层的肖特基场晶体管电神法诊断的特征
机译:原子层外延生长的Gaas垂直侧壁外延层的电学和结构表征
机译:用于制造GaAs材料的单晶层的单晶层的单晶层的方法,用于GaAs材料的单晶层外延生长
机译:制备gaas材料的单晶层的方法和gaas材料的单晶层的外延生长的基质
机译:制备具有在GaAs衬底上沉积的GaN外延层的外延晶片的方法
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