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透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层MOCVD过程中应变结构形成的研究

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本文介绍了 Al Ga As/ Ga As外延层生长的应变状况的生长温度控制模型 ,并根据Al Ga As/ Ga As外延层 X射线衍射摇摆曲线的分析从实验上验证了 Al Ga As/ Ga

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来源
《光子学报》 |2002年第2期|205-208|共4页
作者
李晓峰; 张景文; 高鸿楷; 侯洵;
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作者单位

中国科学院西安光学精密机械研究所;

光电子学研究室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类结构和元部件;
关键词
应变结构; 晶格常量; 透射式GaAs光电阴极; X射线衍射; AlGaAs/GaAs外延层; MOCVD; 镓铝砷化合物; 砷化镓; 生长温度控制模型;

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