150 nm FDSOI器件的背栅NBTI效应研究

摘要

负偏置温度不稳定（NBTI）是器件的主要可靠性问题之一，本文通过对150 nm工艺的FDSOI器件进行加速应力试验，分析了不同栅极偏置应力、温度应力下器件阈值电压和饱和电流的退化特性，发现背栅偏置更容易导致NBTI退化，同时研究了正背栅耦合作用下NBTI效应的退化机理。