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离子注入Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体

         

摘要

本文概述了离子注入Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的离子纯度,非晶/再结晶的机理,并讨论一些离子在GaAs、InP、GaInAs及四元化合物中的分布以及衬底对注入层特性的影响。

著录项

  • 来源
    《半导体光电》 |1986年第4期|56-61|共6页
  • 作者

    戴世章;

  • 作者单位

    重庆光电技术研究所;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
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