一种适合于InP和InGaAsP的新型化学腐蚀剂

摘要

本文着重讨论了用Br2:C2H5OH腐蚀液对InP和InGaAsP的化学腐蚀行为。用检查腐蚀表面、腐蚀截面图和腐蚀速度的方法,对几种InP和InGaAsP常用的腐蚀液进行了实验比较。结果表明:Br2:C2H2OH腐蚀液的腐蚀行为是最令人满意的,它腐蚀速度快,所腐蚀的表面平整,光亮。这种腐蚀液对InP和InGaAsP具有几乎相同的腐蚀速度。在（100）表面沿[110]和[110]方向上分别得到了正台形和倒台型结构的截面图。该腐蚀液几乎不破坏正型光刻胶（AZ1350）和负型光刻胶（OMR83）。因此它是制作InP和InGaAsP器件较适合的腐蚀液。同时从结晶学的角度对产生正台型和倒台型这种独特结构的原因进行了讨论。