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卢革宇;
不详;
化学斜面法; 界面; 异质结; 半导体;
机译:使用分子束外延和金属有机化学气相沉积法在InP上生长的InGaAsP / InP埋入异质结构激光二极管
机译:使用MOCVD生长的InGaAsP / InP异质界面上的锌扩散行为
机译:p-InP上的埋入式新月形InP / InGaAsP / InP异质结构,用于线性边缘发射二极管
机译:通过金属有机化学气相沉积法在InGaAs基极和InP集电极之间生长具有InGaAsP梯度的InGaAs / InP双异质结双极晶体管
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:通过液相外延将InP / IngaASP异质结构的外延层生长在异形的INP表面上
机译:晶格匹配的InGaasp / Inp异质结的界面特性
机译:光转化器的INGAASP / INP异质结构的制造方法
机译:埋入异质结构的ingaasp / inp半导体二极管激光器的制造方法
机译:InGaAsP / InP异质结构中优先刻蚀光学平面镜面的方法
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