隐埋月牙形InGaAsP/InP（1.3μm）激光器的退化问题及改进结构

摘要

我们发现,隐埋月牙形（BC）InGaAsP/InP激光器的退化是在液相外延生长期间,将形成p-n结的表面在接触溶液之前暴露在高温H2中而引起的。为了消除退化,而制作了一种新结构的BC激光器,并获得了80℃下稳定连续的工作。