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王宇; 张江勇; 余健; 应磊莹; 张保平;
厦门大学物理系.福建厦门361005;
厦门大学电子工程系;
福建厦门361005;
InGaN/GaN多量子阱; 极化效应; 拐点; 太阳电池;
机译:在a平面和m平面GaN衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱的光学和偏振特性的研究
机译:双波长InGaN / GaN多量子阱发光二极管的发光特性和载流子动力学研究
机译:不同应变条件下半极性InGaN / GaN量子阱的发光偏振特性研究
机译:极性InGaN / GaN量子阱结构的光学研究
机译:生长在a面和m面GaN衬底上的InGaN / GaN多量子阱的光学和偏振特性的研究
机译:用于激光二极管应用的GaN,InGaN和GaN / InGaN量子阱结构的mBE生长和性质
机译:表面等离子体增强型Ingan / GaN多量子阱光电极及其制备方法
机译:高效的蓝色InGaN / GaN量子阱发光二极管,后期呈锯齿状
机译:高效的蓝色INGAN / GAN量子阱光发射二极管,具有锯齿状
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