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张圆圆; 柳聪; 赵文伯; 莫才平; 董绪丰; 黄玉兰; 梁星宇; 段利华; 田坤; 张洪波;
重庆光电技术研究所;
重庆400060;
InP晶圆; 背面减薄; 损伤层; 翘曲度; 湿法腐蚀;
机译:湿化学硅晶圆减薄/背面暴露工艺的损伤评估
机译:背面减薄过程中硅通孔晶圆表面应力的演变
机译:沟槽型场板功率MOSFET工艺集成中晶圆翘曲的机理与控制技术
机译:晶圆背面减薄工艺与减薄后清洁和TSV曝光凹槽蚀刻相集成
机译:开发用于下一代,更薄,更大晶体硅(c-Si)晶圆的太阳能电池的工业制造工艺。
机译:对镜面硅晶圆背面区域的图像堆栈进行分类:CNN和SVM的性能比较
机译:使用Ansys分层壳单元模拟薄涂层Si晶圆的翘曲
机译:选择性电化学晶圆减薄在硅表征中的应用。
机译:处理一侧具有组件的晶圆,特别是减薄晶圆,包括在晶圆正面涂上涂层系统并进行单独涂层,因此涂层系统在减薄过程中支撑或运送晶圆
机译:晶圆减薄和背面处理的高温和耐化学腐蚀工艺
机译:晶圆减薄和背面加工的高温耐化学腐蚀工艺
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