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陈堂胜; 戴家赟; 吴立枢; 孔月婵; 周书同; 齐志央; 钟世昌; 凌志健;
南京电子器件研究所;
固态微波器件与电路全国重点实验室;
半导体微波晶体管; 晶体管级异质集成; 外延层转移; 低温键合; 微波功率器件; 限幅器;
机译:晶圆级异质集成技术及其应用
机译:关于优化七级级联逆变器双极异质晶体管框架电路制造的方法,以提高其集成率。 影响不匹配引起的压力
机译:从晶圆级(混合晶圆键合)到分立晶体管(微转移印刷)的Si / InP异质集成技术
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:AlAs / GaAs缓冲架构在Si上外延Ge的异质集成:适用于低功率鳍式场效应晶体管
机译:用于微波单片集成电路应用的异质结构晶体管技术。
机译:用于异质结双极晶体管集成电路技术的多级互连
机译:异质结构场效应晶体管,包括异质结构场效应晶体管的集成电路和制造异质结构场效应晶体管的方法
机译:异质结构场效应晶体管,包括异质结构场效应晶体管的集成电路以及制造异质结构场效应晶体管的方法
机译:产生集成电路的方法以及包括该异质结构场效应晶体管和该异质结构场效应晶体管的异质结构场效应晶体管
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