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SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference
SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference
召开年:
2018
召开地:
Burlingame(US)
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
Modeling the Interface Trap Density Influence on Junctionless Nanowire Transistors Behavior
机译:
建模界面陷阱密度对无结纳米线晶体管行为的影响
作者:
R. Trevisoli
;
R. T. Doria
;
M. de Souza
;
M. A. Pavanello
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Analytical models;
Junctionless nanowire transistors;
Electric potential;
Transconductance;
Photonic band gap;
2.
Analog/RF Performance of Thin (~10 nm) HfO
2
Ferroelectric FDSOI NCFET at 20 nm Gate Length
机译:
栅长20 nm时(〜10 nm)HfO
2 inf>铁电FDSOI NCFET的模拟/ RF性能
作者:
Shruti Mehrotra
;
Shafi Qureshi
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
Silicon-on-insulator;
Logic gates;
Hafnium compounds;
MOSFET;
Performance evaluation;
Frequency response;
Capacitance;
3.
FinFET-based Monolithic 3D+ with RRAM Array and Computing in Memory SRAM for Intelligent IoT Chip Application
机译:
基于FinFET的单片3D +,具有RRAM阵列并在存储器SRAM中进行计算,可用于智能物联网芯片应用
作者:
Kai-Shin Li
;
Fu-Kuo Hsueh
;
Chang-Hong Shen
;
Jia-Min Shieh
;
Hsiu-Chih Chen
;
Wen-Hsien Huang
;
Hsiao-Yun Chiu
;
Chih-Chao Yang
;
Tung-Ying Hsieh
;
Bo-Yuan Chen
;
Wei-Hao Chen
;
Kuo-Hsiang Hsu
;
Meng-Fan Chang
;
Wen-Kuan Yeh
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
Silicon;
Random access memory;
Field effect transistors;
Resistance;
Three-dimensional displays;
Switches;
4.
Trap-Aware Compact Modeling and Power-Performance Assessment of III-V Tunnel FET
机译:
III-V隧道FET的陷阱感知紧凑模型和功率性能评估
作者:
Yang Xiang
;
Dmitry Yakimets
;
Saurabh Sant
;
Elvedin Memisevic
;
Marie Garcia Bardon
;
Anne S. Verhulst
;
Bertrand Parvais
;
Andreas Schenk
;
Lars-Erik Wernersson
;
Guido Groeseneken
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
TFETs;
Integrated circuit modeling;
Logic gates;
SPICE;
Tunneling;
Junctions;
Capacitance-voltage characteristics;
5.
First Experimental Confirmation of Ultralow Voltage Rectification by Super Steep Subthreshold Slope “PN-Body Tied SOI-FET” for High Efficiency RF Energy Harvesting and Ultralow Voltage Sensing
机译:
通过超陡峭亚阈值斜率“ PN体绑扎式SOI-FET”进行超低电压整流的首次实验确认,可实现高效的射频能量收集和超低电压感测
作者:
Shun Momose
;
Jiro Ida
;
Takuya Yamada
;
Takayuki Mori
;
Kenji Itoh
;
Kenji Itoh
;
Koichiro Ishibashi
;
Yasuo Arai
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
Schottky diodes;
Energy harvesting;
Voltage measurement;
Radio frequency;
Frequency measurement;
Sensors;
6.
A new sharp switch device integrated in 28 nm FD-SOI technology
机译:
集成了28 nm FD-SOI技术的新型锋利开关设备
作者:
Thomas Bédécarrats
;
Claire Fenouillet-Béranger
;
Sorin Cristoloveanu
;
Philippe Galy
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
BiCMOS integrated circuits;
Switches;
MOS devices;
Logic gates;
Ions;
Threshold voltage;
Temperature measurement;
7.
PD-SOI Enabling Adaptive RF Front-End Modules
机译:
支持PD-SOI的自适应RF前端模块
作者:
Barend van Liempd
;
Jan Craninckx
;
Piet Wambacq
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
Switches;
Radio frequency;
Capacitors;
Distortion;
Switching circuits;
Linearity;
Antennas;
8.
28 FDSOI RF Figures of Merits and Parasitic Elements at Cryogenic Temperature
机译:
低温下的28 FDSOI RF特性和寄生元素图
作者:
B. Kazemi Esfehsp
;
V. Kilchytska
;
N. Planes
;
M. Haond
;
D. Flandre
;
J.-P. Raskin
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
Radio frequency;
Silicon-on-insulator;
Cryogenics;
Equivalent circuits;
MOSFET;
Logic gates;
9.
45nm PD SOI FET gate resistance optimization for mmw applications
机译:
针对毫米波应用的45nm PD SOI FET栅极电阻优化
作者:
D. Lederer
;
S. Jain
;
S. Saroop
;
A. Kumar
;
G. Freeman
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Resistance;
Conductivity;
Silicides;
Radio frequency;
Fingers;
Nickel;
10.
Threshold Dependence of Soft-Errors induced by α particles and Heavy Ions on Flip Flops in a 65 nm Thin BOX FDSOI
机译:
65 nm薄盒FDSOI中由触发器引起的α粒子和重离子软误差的阈值依赖性
作者:
Mitsunori Ebara
;
Kodai Yamada
;
Kentaro Kojima
;
Jun Furuta
;
Kazutoshi Kobayashi
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
Transistors;
Ions;
Radiation effects;
Silicon-on-insulator;
Doping;
Leakage currents;
Atmospheric measurements;
11.
Radiation-Hardened Flip-Flops with Small Area and Delay Overheads Using Guard-Gates in FDSOI Processes
机译:
在FDSOI工艺中使用保护门的小面积和延迟开销的辐射增强型触发器
作者:
Kodai Yamada
;
Jun Furuta
;
Kazutoshi Kobayashi
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
Delays;
Silicon-on-insulator;
Inverters;
Simulation;
MOSFET;
Latches;
12.
8-T ULV SRAM macro in 28nm FDSOI with 7.4 pW/bit retention power and back-biased-scalable speed/energy trade-off
机译:
采用28nm FDSOI的8-T ULV SRAM宏,具有7.4 pW /位的保留功率和可反向偏置的速度/能量折衷
作者:
Thomas Haine
;
Denis Flandre
;
David Bol
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
Random access memory;
Silicon-on-insulator;
Transistors;
Logic gates;
Delays;
Discharges (electric);
Stability analysis;
13.
An Image Sensor SOC with Energy Harvesting Mixed-Vth Pixel Generating 5.8μW/mm
2
Power Density and 0.77 Frames/second Self-Powered Frame Rate
机译:
具有能量采集混合Vth像素的图像传感器SOC,其产生5.8μW/ mm
2 sup>功率密度和0.77帧/秒的自供电帧率
作者:
Mohammad Faisal Amir
;
Jong Hwan Ko
;
Saibal Mukhopadhyay
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
Energy harvesting;
Transmitters;
Sensor arrays;
CMOS image sensors;
Lighting;
14.
Virtually Nonvolatile Retention SRAM cell Using Dual-Mode Inverters
机译:
使用双模式反相器的虚拟非易失性保留SRAM单元
作者:
D. Kitagata
;
H. Yoshida
;
S. Yamamoto
;
S. Sugahara
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
Computer architecture;
Microprocessors;
Feedback amplifiers;
Inverters;
Random access memory;
Transistors;
Nonvolatile memory;
15.
1T DRAM with Vertically Stacked n-Oxide-p Architecture
机译:
具有垂直堆叠n-Oxide-p架构的1T DRAM
作者:
Md. Hasan Raza Ansari
;
Nupur Navlakha
;
Jyi-Tsong Lin
;
Abhinav Kranti
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Random access memory;
Doping;
Electric potential;
Computer architecture;
Electrostatics;
Transistors;
16.
Characterization of P-Channel FOI-MAHAS Charge Trapping Memory with Improved Operation Characteristics
机译:
具有改进的操作特性的P通道FOI-MAHAS电荷捕获存储器的表征
作者:
Zhaozhao Hou
;
Huaxiang Yin
;
Zhenhua Wu
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Flash memories;
FinFETs;
Hafnium compounds;
Performance evaluation;
Tunneling;
Programming;
17.
Performance Stability Analysis of SRAM Cells Based on Different FinFET Devices in 7nm Technology
机译:
基于7nm技术的基于不同FinFET器件的SRAM单元的性能稳定性分析
作者:
Mahmood Uddin Mohammed
;
Athiya Nizam
;
Masud H Chowdhury
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
FinFETs;
Performance evaluation;
Stability analysis;
Logic gates;
SRAM cells;
18.
Total dose effects of 28nm FD-SOI CMOS transistors
机译:
28nm FD-SOI CMOS晶体管的总剂量效应
作者:
Yong Kuang
;
Jianhui Bu
;
Bo Li
;
Linchun Gao
;
Chunping Liang
;
Zhengsheng Han Luo
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
Threshold voltage;
Radiation effects;
MOS devices;
Performance evaluation;
Electron traps;
Logic gates;
Transistors;
19.
A Study on Monolithic 3-D RF/AMS ICs: Placing Digital Blocks Under Inductors
机译:
单片3-D RF / AMS IC的研究:将数字模块放置在电感器下
作者:
Panagiotis Chaourani
;
Dimitrios Stathis
;
Saul Rodriguez
;
Per-Erik Hellström
;
Ana Rusu
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
Inductors;
Wires;
Metals;
Adders;
Capacitance;
Q-factor;
Loading;
20.
TSV Induced Stress Model and Its Application in Delay Estimation
机译:
TSV诱导应力模型及其在时延估计中的应用
作者:
Raghav Chawla
;
Sarita Yadav
;
Arvind Sharma
;
Baljit Kaur
;
Rajendra Pratap
;
Bulusu Anand
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
Stress;
Through-silicon vias;
Mathematical model;
Logic gates;
Delays;
Semiconductor device modeling;
Inverters;
21.
Performance Assessment of TFET Architectures as 1T-DRAM
机译:
TFET架构作为1T-DRAM的性能评估
作者:
Nupur Navlakha
;
Md. Hasan Raza Ansari
;
Jyi-Tsong Lin
;
Abhinav Kranti
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
TFETs;
Logic gates;
Measurement;
Temperature sensors;
Electric potential;
Semiconductor process modeling;
Analytical models;
22.
Impact of process and device dimensions on Bio-TFET Sensitivity
机译:
工艺和器件尺寸对Bio-TFET灵敏度的影响
作者:
C. N. Macambira
;
P. G. D. Agopian
;
J. A. Martino
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
Sensitivity;
Silicon;
Logic gates;
Biosensors;
Tunneling;
Standards;
TFETs;
23.
A low leakage current Tunneling-FET based on SOI
机译:
基于SOI的低漏电流隧穿FET
作者:
Jianhui Bu
;
Duoli Li
;
Gaobo Xu
;
Xiaowu Cai
;
Yong Kuang
;
Zhengsheng Han
;
Jiajun Luo
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
TFETs;
Leakage currents;
Logic gates;
Tunneling;
ISO;
MOSFET;
Doping;
24.
A First Principle Study of the Carrier mobility and Injection Velocity for Strained 2D materials MOSFETs
机译:
应变2D材料MOSFET载流子迁移率和注入速度的第一原理研究
作者:
Kun Luo
;
Yu Pan
;
Zhaozhao Hou
;
Jiaxin Yao
;
Wen Yang
;
Zhenhua Wu
;
Huaxiang Yin
;
Wenwu Wang
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
Strain;
Photonic band gap;
Two dimensional displays;
Electric potential;
Lattices;
Effective mass;
Graphene;
25.
A 22nm FDSOI Technology with integrated 3.3V/5V/6.5V RFLDMOS Devices for IOT SOC applications
机译:
面向IOT SOC应用的集成了3.3V / 5V / 6.5V RFLDMOS器件的22nm FDSOI技术
作者:
C. Schippel
;
S. Lehmann
;
S.N. Ong
;
A. Muehlhoff
;
I. Cortés
;
W.H. Chow
;
D. Utess
;
A. Zaka
;
A. Divay
;
A. Pakfar
;
J. Faul
;
J. Mazurier
;
K.W. Chew
;
L.H.K. Chan
;
R. Taylor
;
B. Rice
;
D. Harame
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
Silicon-on-insulator;
Radio frequency;
Logic gates;
Performance evaluation;
High-voltage techniques;
Field effect transistors;
26.
A 28-GHz transceiver front-end with T/R switching achieving 11.2-dBm OP
1dB
, 33.8 PAE
max
and 4-dB NF in 22-nm FD-SOI for 5G communication
机译:
具有T / R切换的28 GHz收发器前端,在22 nm FD-中实现11.2 dBm OP
1dB inf>,33.8%PAE
max inf>和4dB NF 5G通信的SOI
作者:
Yao Liu
;
Giovanni Mangraviti
;
Shinya Hitomi
;
Khaled Khalaf
;
Björn Debaillie
;
Piet Wambacq
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
Switches;
Transceivers;
Noise measurement;
5G mobile communication;
Power harmonic filters;
Radiofrequency integrated circuits;
Gain;
27.
Ultra-Low Power Nano-electromechanical Switch Realized by Controlled and Reversible Crack
机译:
可控可逆裂纹实现超低功耗纳米机电开关
作者:
Long You
;
Qiang Luo
;
Zhe Guo
;
Shuai Zhang
;
Xiangwei Jiang
;
Nuo Xu
;
HongJuan Wang
;
Min Song
;
Genquan Han
;
Jeongmin Hong
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
Electric fields;
Nanoelectromechanical systems;
Optical switches;
Nanoscale devices;
Voltage measurement;
Nonvolatile memory;
28.
3D Stacked High Throughput Pixel Parallel Image Sensor with Integrated ReRAM Based Neural Accelerator
机译:
集成了基于ReRAM的神经加速器的3D堆叠式高吞吐量像素并行图像传感器
作者:
Mohammad Faisal Amir
;
Saibal Mukhopadhyay
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
Throughput;
Three-dimensional displays;
Neural networks;
Memory management;
Energy efficiency;
Image sensors;
29.
Optimization of the silicon thickness on Back Enhanced (BE) SOI pMOSFET working as a visible spectrum light sensor
机译:
后增强(BE)SOI pMOSFET上用作可见光谱光传感器的硅厚度的优化
作者:
J. A. Padovese
;
L. S. Yojo
;
R. C. Rangel
;
K. R. A. Sasaki
;
J. A. Martino
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
Silicon;
MOSFET;
Logic gates;
Sensitivity;
Spontaneous emission;
MOSFET circuits;
Optical sensors;
30.
A highly sensitive photodetector based on deepdepletion effects in SOI transistors
机译:
基于SOI晶体管中深度耗尽效应的高灵敏度光电探测器
作者:
M. Arsalan
;
XY. Cao
;
BR. Lu
;
YF. Chen
;
A. Zaslavsky
;
S. Cristoloveanu
;
M. Bawedin
;
J. Wan
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
Substrates;
Transistors;
Silicon;
Photodetectors;
Transient analysis;
Silicon-on-insulator;
Logic gates;
31.
Optimization of the permittivity-based BE SOI biosensor
机译:
基于介电常数的BE SOI生物传感器的优化
作者:
L. S. Yojo
;
R. C. Rangel
;
K. R. A. Sasaki
;
J. A. Martino
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
Sensitivity;
Logic gates;
MOSFET;
Silicon;
MOSFET circuits;
Permittivity;
32.
Vertically-Stacked Nanowire/FinFETs and Following 2D FETs for Logic Chips
机译:
垂直堆叠的纳米线/ FinFET和用于逻辑芯片的后续2D FET
作者:
Hitoshi Wakabayashi
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
Sulfur;
Logic gates;
Molybdenum;
FinFETs;
Very large scale integration;
33.
Monolithic-3D Integration with 2D Materials: Toward Ultimate Vertically-Scaled 3D-ICs
机译:
与2D材料的单片3D集成:迈向最终的垂直缩放3D-IC
作者:
Junkai Jiang
;
Kamyar Parto
;
Wei Cao
;
Kaustav Banerjee
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
Two dimensional displays;
Thermal conductivity;
Graphene;
Thermal resistance;
Three-dimensional displays;
Conductivity;
34.
Back bias influence on low-frequency noise of n-type nanowires SOI MOSFETs
机译:
反向偏置对n型纳米线SOI MOSFET的低频噪声的影响
作者:
Allan Roberto Molto
;
Bruna Cardoso Paz
;
Rodrigo Trevisoli Doria
;
Michelly de Souza
;
Marcelo Antonio Pavanello
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Logic gates;
Nanowires;
Low-frequency noise;
Distance measurement;
MOSFET;
Scattering;
35.
A Self-contained Defect-aware Module for Realistic Simulations of LFN, RTN and Time-dependent Variability in FD-SOI Devices and Circuits
机译:
一个独立的缺陷感知模块,用于在FD-SOI器件和电路中对LFN,RTN和时间相关的可变性进行逼真的仿真
作者:
Christoforos G. Theodorou
;
Gerard Ghibaudo
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Integrated circuit modeling;
Transient analysis;
Logic gates;
Stress;
SRAM cells;
Hardware design languages;
Degradation;
36.
Is FD-SOI immune to Floating Body Effects?
机译:
FD-SOI不受浮体效应的影响吗?
作者:
Hyungjin Park
;
Kyunghwa Lee
;
Jean-Pierre Colinge
;
Sorin Cristoloveanu
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
MOSFET;
Logic gates;
Silicon-on-insulator;
Hysteresis;
Current measurement;
Transient analysis;
37.
New approach for removing the self-heating from MOSFET current using only DC characteristics
机译:
仅使用直流特性消除MOSFET电流自发热的新方法
作者:
C. A. B. Mori
;
P. G. D. Agopian
;
J. A. Martino
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
FinFETs;
Temperature;
Thermal resistance;
Temperature measurement;
Degradation;
38.
Pixel-Parallel 3D Integrated CMOS Image Sensors Developed by Direct Bonding of SOI Layers for Next-Generation Video Systems
机译:
通过直接粘合SOI层为下一代视频系统开发的像素并行3D集成CMOS图像传感器
作者:
Masahide Goto
;
Yuki Honda
;
Toshihisa Watabe
;
Kei Hagiwara
;
Masakazu Nanba
;
Yoshinori Iguchi
;
Takuya Saraya
;
Masaharu Kobayashi
;
Eiji Higurashi
;
Hiroshi Toshiyoshi
;
Toshiro Hiramoto
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
CMOS image sensors;
Three-dimensional displays;
Gold;
Bonding;
Electrodes;
Dynamic range;
Analog-digital conversion;
39.
Investigation of ferroelectric HfZrO FET for steep slope applications
机译:
用于陡坡应用的铁电HfZrO FET的研究
作者:
Md Nur K. Alam
;
B. Kaczer
;
L. -Å. Ragnarsson
;
M. I. Popovici
;
N. Horiguchi
;
M. Heyns
;
J. Van Houdt
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Iron;
Hysteresis;
Logic gates;
Transient analysis;
Current measurement;
Temperature measurement;
Switches;
40.
On the Design of Energy-Efficient I/O Circuits for Interposer-based 2.5D System-in-Package
机译:
基于中介层2.5D封装系统的节能型I / O电路设计
作者:
M. Lee
;
J. Kim
;
A. Singh
;
H. M. Torun
;
M. Swaminathan
;
S. Lim
;
S. Mukhopadhyay
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Receivers;
Wires;
Delays;
Energy consumption;
Solid modeling;
Three-dimensional displays;
Switches;
41.
Finite Element Method (FEM) simulation based analysis for optimal chip layout of a 2.5D flip chip package
机译:
基于有限元方法(FEM)仿真的分析可优化2.5D倒装芯片封装的芯片布局
作者:
Manish Nayini
;
David Questad
;
Mukta Farooq
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Strain;
Stress;
Laminates;
Finite element analysis;
Measurement;
Delamination;
Encapsulation;
42.
High-Speed TSV Integration in an Active Silicon Photonics Interposer Platform
机译:
有源硅光子插入器平台中的高速TSV集成
作者:
L. Bogaerts
;
Z. El-Mekki
;
S. Van Huylenbroeck
;
P. Nolmans
;
N. Pantano
;
X. Sun
;
M. Rakowski
;
D. Velenis
;
P. Verheyen
;
S. Balakrishnan
;
P. De Heyn
;
B. Snyder
;
Y. Ban
;
S. Srinivasan
;
S. Lardenois
;
J. De Coster
;
M. Detalle
;
P. Absil
;
A. Miller
;
M. Pantouvaki
;
J. Van Campenhout
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Through-silicon vias;
Silicon;
Plating;
Photonics;
Optical waveguides;
Optical losses;
Filling;
43.
Impact of Low-Temperature Coolcube™ Process on the Performance of FDSOI Tunnel FETs
机译:
低温Coolcube™工艺对FDSOI隧道FET性能的影响
作者:
C. Diaz-Llorente
;
J.-P. Colinge
;
C. Le Royer
;
M. Vinet
;
C. G. Theodorou
;
S. Cristoloveanu
;
G. Ghibaudo
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
TFETs;
Logic gates;
MOSFET;
Junctions;
Tunneling;
Performance evaluation;
44.
Quentin: an Ultra-Low-Power PULPissimo SoC in 22nm FDX
机译:
Quentin:22nm FDX的超低功耗PULPissimo SoC
作者:
Pasquale Davide Schiavone
;
Davide Rossi
;
Antonio Pullini
;
Alfio Di Mauro
;
Francesco Conti
;
Luca Benini
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Random access memory;
Internet of Things;
Low-power electronics;
Multicore processing;
Microcontrollers;
Bandwidth;
45.
Exploration of Fine-Grain Body Bias Control in Many-Core Processor Arrays
机译:
多核处理器阵列中细颗粒体偏置控制的探索
作者:
Bevan Baas
;
Brent Bohnenstiehl
;
Jin Cui
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Computer architecture;
Parallel processing;
Optimization;
Throughput;
Power grids;
Energy efficiency;
Clocks;
46.
Fully Depleted SOI technologies from digital to RF and beyond
机译:
从数字到射频以及其他方面的完全耗尽的SOI技术
作者:
Jean-Pierre Raskin
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Radio frequency;
MOSFET;
Performance evaluation;
Silicon-on-insulator;
Temperature measurement;
Cutoff frequency;
47.
Independent Body-Biasing of P-N Transistors in an 28nm UTBB FD-SOI ULP Near-Threshold Multi-Core Cluster
机译:
28nm UTBB FD-SOI ULP近阈值多核集群中P-N晶体管的独立偏置
作者:
Alfio Di Mauro
;
Davide Rossi
;
Antonio Pullini
;
Philippe Flatresse
;
Luca Benini
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Transistors;
Voltage control;
Frequency control;
Leakage currents;
Frequency-domain analysis;
Power demand;
Performance evaluation;
48.
Process Variation-Aware Datapath Employing Dual Mode Logic
机译:
采用双模逻辑的过程变化感知数据路径
作者:
Netanel Shavit
;
Inbal Stanger
;
Ramiro Taco
;
Alexander Fish
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Logic gates;
Energy consumption;
Delays;
Transistors;
Adders;
Fish;
Optimization;
49.
Design of a Rectifier-Free Near-Threshold UHF Gen2 RFID Tag using Dual-Phase RF-only Logic
机译:
采用双相纯射频逻辑的无整流器近阈值UHF Gen2 RFID标签设计
作者:
Kirti Bhanushali
;
Wenxu Zhao
;
Paul D. Franzon
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Radio frequency;
Sensitivity;
RFID tags;
Standards;
Transistors;
Libraries;
50.
Body Related Parasitic Parameters Extraction for PD-SOI MOSFETs Using Four-Port Network
机译:
使用四端口网络提取PD-SOI MOSFET的与身体相关的寄生参数
作者:
Kai Lu
;
Yongwei Chang
;
Wenwei Yang
;
Yemin Dong
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
MOSFET;
Logic gates;
Immune system;
Capacitance;
Radio frequency;
Mathematical model;
Silicon-on-insulator;
51.
Optimization of Intrinsic Auger-Assisted Tunneling for TFETs with Steep Subthreshold Slopes
机译:
具有陡峭亚阈值斜率的TFET的本征俄歇辅助隧穿的优化
作者:
James T. Teherani
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Tunneling;
TFETs;
Junctions;
Optimization;
Performance evaluation;
52.
Digital Frequency Multiplier for LO Generation using 22nm FDSOI
机译:
使用22nm FDSOI产生LO的数字倍频器
作者:
Arul Balasubramaniyan
;
Abdellatif Bellaouar
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Delays;
Frequency conversion;
Wireless LAN;
Voltage-controlled oscillators;
Computer architecture;
Silicon-on-insulator;
Microprocessors;
53.
Insights to the Scaling Impact on Back-Gate Biasing for FD SOI MOSFETs
机译:
FD SOI MOSFET对背栅偏置的缩放影响的见解
作者:
Ming-Yu Chang
;
Li-Jing Wang
;
Meng-Hsueh Chiang
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Electron devices;
Silicon-on-insulator;
Meetings;
Substrates;
Microelectronics;
Manuals;
54.
Channel Length Sizing for Power Minimization in Leakage-Dominated Digital Circuits
机译:
通道长度大小确定,以在泄漏控制的数字电路中将功耗降至最低
作者:
Daniel S. Truesdell
;
Benton H. Calhoun
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Integrated circuit modeling;
Timing;
Adders;
Digital circuits;
Minimization;
Power demand;
Leakage currents;
55.
Mechanism for High Hall-Effect Mobility in Sputtered-MoS2 Film Controlling Particle Energy
机译:
溅射MoS2薄膜中高霍尔效应迁移率控制粒子能量的机制
作者:
Takuro Sakamoto
;
Takumi Ohashi
;
Kentaro Matsuura
;
Iriya Muneta
;
Kuniyuki Kakushima
;
Kazuo Tsutsui
;
Yuuta Suzuki
;
Nobuyuki Ikarashi
;
Hitoshi Wakabayashi
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Molybdenum;
Sulfur;
Sputtering;
Argon;
Substrates;
Radio frequency;
Magnetic films;
56.
High Performance LNA Devices for Integrated Switch Technology
机译:
用于集成交换技术的高性能LNA器件
作者:
John Ellis-Monaghan
;
Randy Wolf
;
Anthony Stamper
;
Mark Jaffe
;
Michel Abou-Khalil
;
Aaron Vallett
;
Siva Adusumilli
;
Steven Shank
;
Rick Phelps
;
Alvin Joseph
;
Ananth Sundaram
;
Venkata Vanukuru
;
Balaji Swaminathan
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Inductors;
Switches;
Radio frequency;
Transistors;
Switching circuits;
Performance evaluation;
Logic gates;
57.
MTJ-Based Nonvolatile Ternary Logic Gate for Quantized Convolutional Neural Networks
机译:
基于MTJ的非易失性三元逻辑门用于量化卷积神经网络
作者:
Masanori Natsui
;
Tomoki Chiba
;
Takahiro Hanyu
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Multivalued logic;
Logic gates;
Convolutional neural networks;
58.
A RRAM-based Coarse Grain Reconfigurable Array for Neural Network Accelerators
机译:
用于神经网络加速器的基于RRAM的粗粒度可重构阵列
作者:
Zhengyu Chen
;
Hai Zhou
;
Jie Gu
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Gold;
Computer architecture;
Integrated circuit interconnections;
Layout;
Microprocessors;
Delays;
Neural networks;
59.
Beyond advanced FDSOI: Low Temp SmartCut for enabling High Density 3D SoC applications
机译:
超越高级FDSOI:低温SmartCut,可实现高密度3D SoC应用
作者:
W. Schwarzenbach
;
B. -Y. Nguyen
;
L. Ecarnot
;
S. Loubriat
;
M. Detard
;
E. Cela
;
C. Bertrand-Giuliani
;
G. Chabanne
;
C. Maddalon
;
N. Daval
;
C. Girard
;
C. Maleville
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Silicon-on-insulator;
Three-dimensional displays;
Performance evaluation;
Finishing;
Substrates;
Production;
Portfolios;
60.
Low-Temperature Wafer Bonding for Three-Dimensional Wafer-Scale Integration
机译:
低温晶圆键合,用于三维晶圆规模集成
作者:
Zhe Wan
;
Kevin Winstel
;
Arvind Kumar
;
Subramanian S. Iyer
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Bonding;
Wafer scale integration;
Annealing;
Silicon;
Force;
Wafer bonding;
61.
Scaling NC-FinFET to Sub-3 nm Nodes
机译:
将NC-FinFET缩放至3nm以下节点
作者:
Ashish Pal
;
Sushant Mittal
;
Bahniman Ghosh
;
Chieh Yu Lin
;
Blessy Alexander
;
Buvna Ayyagari
;
Angada B. Sachid
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
FinFETs;
Logic gates;
Ions;
Space exploration;
Iron;
Capacitance;
Performance evaluation;
62.
Heat Shunting by Innovative Source/Drain Contact to Enable Monolithic 3D Integration of InGaAs MOSFETs
机译:
创新的源极/漏极触点进行热量分流,以实现InGaAs MOSFET的单片3D集成
作者:
SangHyeon Kim
;
Seong Kwang Kim
;
SangHoon Shin
;
Jae-Hoon Han
;
Dae-Myeong Geum
;
Jae-Phil Shim
;
Subin Lee
;
Han Sung Kim
;
Gunwu Ju
;
Jin Dong Song
;
Muhammad A. Alam
;
Hyung-jun Kim
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
contact resistance;
III-V semiconductors;
indium compounds;
MOSFET;
semiconductor device models;
thermal conductivity;
thermal resistance;
63.
A 14.3pW Sub-Threshold 2T Gain-Cell eDRAM for Ultra-Low Power IoT Applications in 28nm FD-SOI
机译:
适用于28nm FD-SOI中超低功耗IoT应用的14.3pW亚阈值2T增益单元eDRAM
作者:
Robert Giterman
;
Adam Teman
;
Alexander Fish
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Random access memory;
Transistors;
Internet of Things;
MOS devices;
Inverters;
Capacitance;
Leakage currents;
64.
Si/InP Heterogeneous Integration Techniques from the Wafer-Scale (Hybrid Wafer Bonding) to the Discrete Transistor (Micro-Transfer Printing)
机译:
从晶圆级(混合晶圆键合)到分立晶体管(微转移印刷)的Si / InP异质集成技术
作者:
Andrew D. Carter
;
Miguel E. Urteaga
;
Zachary M. Griffith
;
Kang-Jin Lee
;
Jonathan Roderick
;
Petra Rowell
;
Joshua Bergman
;
Sankgi Hong
;
Robert Patti
;
Carl Petteway
;
Gill Fountain
;
Kanchan Ghosel
;
Christopher A. Bower
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Indium phosphide;
III-V semiconductor materials;
Silicon;
Substrates;
Heterojunction bipolar transistors;
Radio frequency;
Printing;
65.
Key challenges and opportunities for 3D sequential integration
机译:
3D顺序集成的主要挑战和机遇
作者:
A. Vandooren
;
L. Witters
;
J. Franco
;
A. Mallik
;
B. Parvais
;
Z. Wu
;
W. Li
;
E. Rosseel
;
A. Hikkavyy
;
L. Peng
;
N. Rassoul
;
G. Jamieson
;
F. Inoue
;
G. Verbinnen
;
K. Devriendt
;
L. Teugels
;
N. Heylen
;
E. Vecchio
;
T. Zheng
;
N. Waldron
;
J. Boemmels
;
V. De Heyn
;
D. Mocuta
;
J. Ryckaert
;
N.
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Logic gates;
Annealing;
Metals;
Thermal stability;
Three-dimensional displays;
Transistors;
66.
A 0.0487mm2 4Kx8 Metal-Gate Innovative Fuse Memory at 22nm FD-SOI with 1.2V+/-16 Program Voltage, 0.42V Vddmin, and Full Testability
机译:
一个0.0487mm2 4Kx8金属门创新型保险丝存储器,采用22nm FD-SOI,具有1.2V +/- 16%的编程电压,0.42V Vddmin和完全可测试性
作者:
Shine Chung
;
Jay Lin
;
Wen-Kuan Fang
;
Wen-Hua Yu
;
Michael Wendt
;
Helmut Prengel
;
Anmin Xu
;
Heng Kah. Lee
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Fuses;
Computer architecture;
Microprocessors;
Programming;
Sensitivity;
Data security;
Electromigration;
67.
Scattering Mechanisms in Inversion Layers of Ge MOSFETs: Impact of Surface States and Carrier Effective Masses
机译:
Ge MOSFET的反型层中的散射机制:表面状态和载流子有效质量的影响
作者:
Rui Zhang
;
Xiao Yu
;
Yi Zhao
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Germanium;
MOSFET circuits;
MOSFET;
Effective mass;
Charge carrier processes;
Surface states;
Logic gates;
68.
A 23 GHz Low-Phase-Noise Transformer-Feedback VCO in 22nm FD-SOI with a FOMT of 191dBc/Hz
机译:
FOMT为191dBc / Hz的22nm FD-SOI中的23 GHz相位噪声变压器反馈VCO
作者:
Zhiwei Zong
;
Cheng-Hsueh Tsai
;
Federico Pepe
;
Giovanni Mangraviti
;
Yao Liu
;
Qixian Shi
;
Bertrand Parvais
;
Piet Wambacq
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Voltage-controlled oscillators;
Tuning;
Capacitors;
1f noise;
Phase noise;
Power demand;
Frequency measurement;
69.
RF/mmWave Front-End Module Switch in 22nm FDSOI Process
机译:
采用22nm FDSOI工艺的RF / mmWave前端模块开关
作者:
Arul Balasubramaniyan
;
Abdellatif Bellaouar
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
Switches;
Silicon-on-insulator;
Insertion loss;
Field effect transistors;
Loss measurement;
Frequency measurement;
Radio frequency;
70.
A New Photodetector on SOI
机译:
SOI上的新型光电探测器
作者:
J. Liu
;
XY. Caol
;
BR. Lu
;
YF. Chen
;
A. Zaslavsky
;
S. Cristoloveanu
;
M. Bawedin
;
J. Wan
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
Logic gates;
Couplings;
Photodetectors;
Lighting;
Silicon-on-insulator;
Switches;
Substrates;
71.
Will Self-heating be Seriously Problematic in Sub-10nm Technology Nodes?
机译:
在低于10nm的技术节点中,自热会严重问题吗?
作者:
Yi Zhao
;
Yiming Qu
;
Bing Chen
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Transient analysis;
FinFETs;
Semiconductor device measurement;
Temperature measurement;
Heating systems;
Logic gates;
72.
Multi-ANN embedded system based on a custom 3D-DRAM
机译:
基于定制3D-DRAM的多人工神经网络嵌入式系统
作者:
Lee B. Baker
;
Paul Franzon
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Random access memory;
Bandwidth;
Memory management;
Layout;
Real-time systems;
Embedded systems;
Machine learning;
73.
Improving the Security of a 6T SRAM using Body-Biasing in 28 nm FD-SOI
机译:
在28 nm FD-SOI中使用体偏置来提高6T SRAM的安全性
作者:
Robert Giterman
;
Osnat Keren
;
Alexander Fish
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Leakage currents;
Security;
SRAM cells;
Hamming weight;
Correlation;
Threshold voltage;
74.
Advantages and Disadvantages of SOI in terms of radiation tolerance
机译:
SOI在辐射耐受性方面的优点和缺点
作者:
K. Hirose
;
D. Kobayashi
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Space vehicles;
Radiation effects;
Ions;
Random access memory;
Satellites;
Orbits;
Power demand;
75.
The study of Plasma Induced Damage on Silicon on Thin BOX
机译:
薄盒上硅对等离子体造成的损伤的研究
作者:
Yoshiki Yamamoto
;
Kazuhiko Segi
;
Shibun Tsuda
;
Hideki Makiyama
;
Takumi Hasegawa
;
Keiichi Maekawa
;
Hiroki Shinkawata
;
Tomohiro Yamashita
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Logic gates;
Antennas;
Plasmas;
Transistors;
Metals;
Substrates;
Silicon;
76.
Hall-Effect Mobility Enhancement of Sputtered MoS2 Film by Vapor Phase Sulfurization through Al
2
O
3
Passivation Film
机译:
通过Al
2 inf> O
3 inf>钝化膜的气相硫化来提高溅射MoS2膜的霍尔效应迁移率
作者:
Masaya Hamada
;
Kentaro Matsuura
;
Takuro Sakamoto
;
Haruki Tanigawa
;
Takumi Ohashi
;
Iriya Muneta
;
Takuya Hoshii
;
Kuniyuki Kakushima
;
Kazuo Tsutsui
;
Hitoshi Wakabayashi
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Sulfur;
Molybdenum;
Annealing;
Aluminum oxide;
Passivation;
Sputtering;
Substrates;
77.
Characterizing soft error rates of 65-nm SOTB and bulk SRAMs with muon and neutron beams
机译:
利用μ子和中子束表征65 nm SOTB和块状SRAM的软错误率
作者:
Masanori Hashimoto
;
Wang Liao
;
Seiya Manabe
;
Yukinobu Watanabe
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Random access memory;
Mesons;
Radiation effects;
Voltage measurement;
Neutrons;
Single event upsets;
78.
Rapid Fabricating sub-50 nm FD-SOI : by Secondary Ion-Cut Processing
机译:
快速制造亚50纳米FD-SOI:通过二次离子切割工艺
作者:
Benjamin T. -H. Lee
;
Y. -L. Chang
;
C.-H. Huang
;
C. -C. Ho
;
F.-S. Lo
;
Y. -R. Hwang
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Silicon;
Hydrogen;
Ions;
Implants;
Annealing;
Physics;
Ion implantation;
79.
Design and Characterization of Bulk Driven MOS Varactor based VCO at Near Threshold Regime
机译:
近阈值下基于体驱动MOS变容二极管的压控振荡器的设计与表征
作者:
Lalit Mohan Dani
;
Neeraj Mishra
;
Shashank Kumar Banchhor
;
Sandeep Miryala
;
Aditya Doneria
;
Bulusu Anand
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Varactors;
Threshold voltage;
Ring oscillators;
Capacitance-voltage characteristics;
Microwave oscillators;
Wireless communication;
80.
Resistive Switching Behaviours and Novel Device Applications of Metal-Oxide-Si/Ge Structures
机译:
金属氧化物Si / Ge结构的电阻切换行为及新型器件应用
作者:
Bing Chen
;
Yi Zhang
;
Wei Na
;
Peng Huang
;
Yi Zhao
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Hafnium compounds;
Switches;
Germanium;
Performance evaluation;
Associative memory;
Random access memory;
Silicon;
81.
Evaluation of NC-FinFET Based Subsystem-Level Logic Circuits Using SPICE Simulation
机译:
使用SPICE仿真评估基于NC-FinFET的子系统级逻辑电路
作者:
Wei-Xiang You
;
Pin Su
;
Chenming Hu
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
FinFETs;
Iron;
Adders;
Inverters;
Mathematical model;
Switches;
Logic circuits;
82.
3D Nanostructures by Stacking Patterned Membranes
机译:
通过堆叠图案化膜的3D纳米结构
作者:
Henry I. Smith
;
Jay J. Fucetola
;
Corey P. Fucetola
;
Katherine A. Mirica
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
|
2018年
关键词:
Stacking;
Three-dimensional displays;
Nanostructures;
Silicon;
Substrates;
Photonics;
Lithography;
83.
Device layout dimension impact on substrate effective resistivity
机译:
器件布局尺寸对基板有效电阻率的影响
作者:
M. Rack
;
L. Nyssens
;
J. -P. Raskin
;
D. Lederer
;
A. Paganini
;
M. B. Shinde
;
A. Beganovic
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Substrates;
Conductivity;
Coplanar waveguides;
Semiconductor device measurement;
Semiconductor device modeling;
Silicon;
Nonhomogeneous media;
84.
Piezoelectric Field-Effect Transistors with Sub-Thermal Swing
机译:
具有亚热摆幅的压电场效应晶体管
作者:
Hongjuan Wang
;
Yuxiong Long
;
Xiangwei Jiang
;
Genquan Han
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Electron devices;
Strain;
Gallium arsenide;
Modulation;
Metals;
Effective mass;
85.
3DVLSI, Technology and Application
机译:
3DVLSI,技术与应用
作者:
S. Cheramy
;
A. Jouve
;
C. Fenouillet-Beranger
;
P. Batude
;
M. Vinet
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Three-dimensional displays;
Bonding;
Stacking;
Reliability;
Memory management;
Packaging;
Copper;
86.
Device Structural Effects on Negative-Capacitance FETs
机译:
器件结构对负电容FET的影响
作者:
Pin Su
;
Wei-Xiang You
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Logic gates;
Iron;
Two dimensional displays;
Hysteresis;
Couplings;
FinFETs;
87.
Experimental Investigation of Fundamentals of Negative Capacitance FETs
机译:
负电容FET基本原理的实验研究
作者:
Genquan Han
;
Jiuren Zhou
;
Yan Liu
;
Jing Li
;
Yue Peng
;
Yue Hao
会议名称:
《SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference》
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2018年
关键词:
Capacitance;
Logic gates;
Hysteresis;
Annealing;
Iron;
Performance evaluation;
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