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Luther Ngwendson1; 朱春林12; Ian Deviny1;
[1]丹尼克斯半导体 英国林肯LN63LF;
[2]新型功率半导体器件国家重点实验室 湖南株洲412001;
绝缘栅双极晶体管; 设计参数; 沟槽栅; 软穿通;
机译:IGBT的新型栅极几何结构:沟槽平面绝缘栅双极晶体管(TPIGBT)
机译:具有沟槽短阳极的新型沟槽栅场截止IGBT
机译:沟槽栅和平面栅U形沟道SOI-LIGBT的短路特性比较
机译:沟槽电压对沟槽栅场截止IGBT中子感应SEB的贡献
机译:沟槽栅穿通IGBT的特性和建模。
机译:基于新型Volterra k最近邻最优修剪极限学习机(VKOPP)模型的绝缘栅双极晶体管(IGBT)剩余寿命估算
机译:焊接轮廓对绝缘栅双极晶体管热参数的影响(IGBTS)
机译:绝缘栅双极型晶体管(IGBT)功率模块中开关脉冲的热模拟。
机译:带沟槽栅的绝缘栅双极晶体管(IGBTS)
机译:具有沟槽栅极的双极绝缘栅双极晶体管(IGBTS)
机译:沟槽栅绝缘栅双极晶体管(IGBT)
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