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赛普拉斯与Innopower签署协议将基于SONOS的嵌入式闪存解决方案用于130nm和65nm技术节点

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赛普拉斯半导体公司日前宣布将130nm和65nm SONOS（氧化硅氮氧化硅）嵌入式非易失性技术的知识产权授权给Innopower技术公司。根据这一授权协议，

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《电子与电脑》|2011年第3期|P.101-101|共1页
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正文语种 chi
中图分类存贮器;
关键词
嵌入式闪存; SONOS; 技术节点; 授权协议; 赛普拉斯半导体公司; 氮氧化硅; 知识产权; 非易失性;

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