非易失性

摘要： 采用高温固相法合成具有层状结构的KMnAgSe_(2),并首次将其作为阻变层材料制备成结构为Au/KMnAgSe_(2)/Ag的阻变器件。通过一系列电学测试研究了该夹层结构器件的阻变性能,研究表明Au/KMnAgSe_(2)/Ag器件具有明显的双极性阻变特性,并表现出较优的稳定性和非易失性。在经历连续200次的循环测试或103s的时间后电阻开关比仍旧保持在10以上。本实验研究结果为KMnAgSe_(2)应用到阻变存储器件中提供了材料基础和理论指导,将有望成为一种极具潜力的新型非易失性存储器。

摘要： 在传统可重构场效应晶体管基础上进行改进,提出一种非易失性浮动可编程栅极可重构场效应晶体管。设计引入非易失性电荷存储层作为浮动程序门,通过给浮动程序门加入一定的电荷,进一步促进正向导通并同时减小反向漏电流,在正常情况下只需要一个独立供电的控制门即可完成可重构要求。通过对比实验,分析电荷数量对转移特性的影响,获得正常工作下最理想电荷量。与传统器件相比,新设计实现了较低的亚阈值摆幅,在减小反向漏电时不会影响正向电流的大小,在实际应用中具有一定优势。

摘要： 针对火炮膛内火药燃气温度测试的特殊环境,设计一种适用于膛内高温、高压、高冲击环境的放入式膛内瞬态温度测试系统。考虑到恶劣的测试环境,该测试系统采用接触式测温技术,使用Nanmac-E12快速响应型热电偶对火炮膛内的火药燃气温度进行测量。在硬件设计上,该测试系统使用了嵌入铁电存储(FRAM)技术的主控芯片,利用铁电存储技术拥有近乎无限擦写周期的特点,将FRAM与循环存储的方式相结合,使得该测试系统在拥有非易失性的基础上,能够运用循环存储的方式将有效数据存储到内置的铁电存储器中,此设计方式相较于使用FLASH存储器可以提高测试系统在恶劣环境下有效数据的捕获率。系统测试与相关模拟试验表明,该测试系统能以100 kHz的采样频率采集数据,具有体积小、稳定性好、功耗低等特点,适用于火炮膛内火药燃气温度的测试。

摘要： Flash型FPGA配置芯片相较于反熔丝配置芯片和可擦除可编程只读存储器(EPROM)型配置芯片,具有非易失性、功耗低、安全性高、可多次编程等更优异的特点。设计了一款具备存储器内建自测试(MBIST)功能的Flash型FPGA配置芯片,在March C-的基础上,提出了一种更全面的测试算法,该算法可以有效提高测试故障覆盖率,并且自身会对测试结果的正确性进行判断,从而快速有效地对Flash功能的正确性进行检验。由于Flash具有非易失性、集成度高等特点,且设计具备MBIST功能,该配置芯片可以满足复杂场景及广泛的应用需求。

摘要： 忆阻器由于其非易失性、低功耗、擦写速度快等优点,在存储器、逻辑器件和计算等领域具有广阔的应用前景.另一方面,二维材料由于二维层状的结构和优异的电学性能被广泛应用于忆阻器.其中,硒化镓是Ⅲ-Ⅵ主族的层状半导体材料,具有高载流子迁移率、非线性光学特性和优异的光响应等特性,为研究新型电子器件提供了可能性.本文通过机械剥离法获得二维层状硒化镓纳米薄片,并以Cu作电极制备了具有平面结构基于二维硒化镓的两端阻变存储器件,实现了高达104的开关比.保留特性曲线表明器件可以在6600 s的时间范围内保持高的开关比.此外,随着测试时间的推移,器件的开关比有增大的趋势,显示了良好的稳定性.该研究为二维硒化镓在非易失性储存器件的进一步应用提供了前期基础.

摘要： 近日,英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)旗下的Infineon Technologies LLC宣布推出第二代非易失性静态RAM(nvSRAM)。新一代器件已通过QML-Q和高可靠性工业规格的认证,支持苛刻环境下的非易失性代码存储和数据记录应用,包括航天和工业应用。

摘要： 在大规模、数据量密集的特定应用场景下,以行存储访问数据的方式弊端日益凸显,逐渐不能满足数据高速访问的性能需求,数据亟需更加高效的传输和处理方式.因此,拓展新的内存访问方式,并且同时兼容行、列方向的访问对提升访问效率、降低整体功耗、节省内存空间有着重要意义.本文围绕动态随机存储和非易失性存储两个方面来详细介绍实现列方向的内存访问方式,重点分析了存储单元的结构设计以及实现列向存储访问过程.最后,对内存两种不同访问方式进行了比较和总结,并且对行列访问的内存数据库、数据挖掘、数据加密算法、实时系统的应用场景进行了展望.

摘要： 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心马秀良研究团队,在铁电材料中发现半子(meron,也称为"麦纫")拓扑畴以及周期性半子晶格。成果以"应变氧化物铁电体中的极化半子晶格"为题,于2020年6月1日在线发表于Nature Materials上。拓扑畴结构具有拓扑保护性,可使数据得以长时间保存,在非易失性信息存储方面具有重要应用价值。

摘要： 本文通过分析对比各种传统非易失性存储介质的关键特性与性能优劣,介绍了新型非易失性存储介质MRAM的特点及其在抗恶劣环境系统中的应用方法和在产品中技术验证情况,最后对该项技术的实现和应用前景进行了展望.

摘要： 目前计算机采用层次化的存储架构。越接近CPU所需的存储速度越快，而目前存储器由于自身局限，速度无法赶上逻辑器件的运行速度。为了提高基本器件的性能，集成架构需要由平面走向三维，系统架构也需要进行一定改变。镁光提出的3DXPoint技术，第一次摒弃三端器件，采用两端器件作为存储单元新技术的出现就有新的机会，意味着更大的研究空间，但选择管仍为技术上需要解决的关键。另一方面，除了在存储器方面的应用，阻变存储器也开始在非易失性逻辑领域崭露头角，特别是在神经技术方面得到了广泛的重视。

摘要： 广泛应用于嵌入式系统的闪存具有非易失性、低功耗和抗辐射等特点,但是在擦除后写入更新和擦写次数上限等方面具有局限性,经常需要通过闪存映射层进行存储管理,利用损耗均衡机制将擦写操作分布到闪存块,以延长闪存使用寿命。在已有闪存损耗均衡算法基础上,针对其占用较多内存的问题,研究并实现了闪存损耗均衡的内存优化。主要利用冷数据识别机制,结合动态损耗均衡和静态损耗均衡,在确保相近损耗均衡效果的同时,实现损耗均衡占用内存空间的优化。rn 最后通过实验和分析,说明了损耗均衡占用内存空间的优化效果。

摘要： DRAM介质易失性、存储密度低、功耗高、成本高，使基于DRAM的内存计算模式面临挑战，兴起了非易失的存储技术。

摘要： DRAM介质易失性、存储密度低、功耗高、成本高，使基于DRAM的内存计算模式面临挑战，兴起了非易失的存储技术。

摘要： DRAM介质易失性、存储密度低、功耗高、成本高，使基于DRAM的内存计算模式面临挑战，兴起了非易失的存储技术。

摘要： DRAM介质易失性、存储密度低、功耗高、成本高，使基于DRAM的内存计算模式面临挑战，兴起了非易失的存储技术。

摘要： 非易失性存储元件（20）具备：第1电极（105）；第2电极（107）；电阻变化层（106），介于第1电极（105）与第2电极（107）之间，将与第1电极（105）连接的第1电阻变化层（1061）和与第2电极（107）连接的第2电阻变化层（1062）层叠而构成；以及侧壁保护层（108），具有氧阻挡性，将上述电阻变化层（106）的侧面覆盖；第1电阻变化层（1061）由第1金属氧化物（106a）和形成在第1金属氧化物的周围且氧不足度比第1金属氧化物（106a）小的第3金属氧化物（106c）构成，第2电阻变化层（1062）由氧不足度比第1金属氧化物（106a）小的第2金属氧化物（106b）构成。

摘要： 本发明的非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(105)；和电阻变化层(104)，其位于第一电极(103)与第二电极(105)之间，电阻值根据施加在两个电极(103、105)之间的电信号可逆地变化，该电阻变化层(104)由含有第一钽氧化物的第一钽氧化物层(107)和含有含氧率与第一钽氧化物不同的第二钽氧化物的第二钽氧化物层(108)层叠构成，并且当将第一钽氧化物表示为TaOx时满足0＜x＜2.5，当将第二钽氧化物表示为TaOy时满足x＜y≤2.5，第二电极(105)与第二钽氧化物层(108)接触，并且第二电极(105)由铂和钽构成。

摘要： 本发明提供一种非易失性存储元件，其中，在电脉冲的电压值具有V2＞V1＞0V＞V3＞V4的关系、电阻变化层的电阻值具有R3＞R2＞R4＞R1的关系的情况下，在对电极间外加电压值为V2以上的电脉冲时，电阻变化层为R2，在对电极间外加电压值为V4以下的电脉冲时，电阻变化层为R4，当电阻变化层的电阻值为R2时，在对电极间外加电压值为V3的电脉冲时，电阻变化层为R3，当电阻变化层的电阻值为R4时，在对电极间外加电压值为V1的电脉冲时，电阻变化层为R1。

摘要： 工艺较简单、能够制造具有稳定的存储性能的非易失性存储装置的制造方法包括：在基板（11）上交替地层叠含有过渡金属的多个导电层（13）和由绝缘材料构成的多个层间绝缘膜（17）而形成层叠构造体的工序；形成将上述层叠构造体贯通且使导电层（13）的一部分露出的接触孔的工序；将导电层（13）的露出在上述接触孔中的部分氧化、形成电阻值基于施加的电信号可逆地变化的电阻变化层（14）的工序；以及在上述接触孔中埋入导电材料、在上述接触孔中形成与电阻变化层（14）连接的柱状电极（12）的工序。

摘要： 本发明的非易失性存储元件，包括夹在下部电极(105)和上部电极(107)之间并且基于对两个电极间所赋予的电信号来可逆地改变电阻值的电阻变化层(116)。电阻变化层(116)由第1电阻变化层(1161)和第2电阻变化层(1162)的至少2层构成，第1电阻变化层(1161)由第1过渡金属氧化物(116b)构成，第2电阻变化层(1162)由第2过渡金属氧化物(116a)和过渡金属化合物(116c)构成，第2过渡金属氧化物(116a)的氧含有率比第1过渡金属氧化物(116b)的氧含有率低，过渡金属化合物含有氧和氮或者氧和氟，第2过渡金属氧化物(116a)和过渡金属化合物(116c)与第1电阻变化层(1161)相接。

摘要： 本发明公开了一种非易失性半导体存储器晶体管、非易失性半导体存储器及非易失性半导体存储器的制造方法，可增大浮置栅极与控制栅极间的电容，并且可降低控制栅极与岛状半导体间的寄生电容。构成非易失性半导体存储器的非易失性半导体存储器晶体管具备：岛状半导体(301)，从衬底侧依序形成有源极区域(303)、沟道区域(304)及漏极区域(302)；中空柱状的浮置栅极(306)，以包围沟道区域外周的方式，使沟道绝缘膜(305)介设于其间而配置；及中空柱状的控制栅极(308)，以包围该浮置栅极外周的方式，使多晶硅层间绝缘膜(307)介设于其间而配置；在浮置栅极、与控制栅极的上面、下面及内侧面之间，介设配置有多晶硅层间绝缘膜。

摘要： 本发明的非易失性闩锁电路（100）为：交叉耦合连接的反演电路（20）和反演电路（21）的输出彼此通过依次连接晶体管（6）、电阻变化元件（1）及晶体管（7）而成的串联电路连接，通过向晶体管（6）及（7）的控制端子施加电压，控制闩锁状态的存储动作以及恢复动作，将对电阻变化元件（1）的两端电位被相加而得到的量进行放大并反转后的电位返回至反演电路（20）或（21）的输入，由此恢复为能够执行电阻变化元件（1）的形成工序的逻辑状态。

摘要： 非易失性存储元件（20）具备：第1电极（105）；第2电极（107）；电阻变化层（106），介于第1电极（105）与第2电极（107）之间，将与第1电极（105）连接的第1电阻变化层（1061）和与第2电极（107）连接的第2电阻变化层（1062）层叠而构成；以及侧壁保护层（108），具有氧阻挡性，将上述电阻变化层（106）的侧面覆盖；第1电阻变化层（1061）由第1金属氧化物（106a）和形成在第1金属氧化物的周围且氧不足度比第1金属氧化物（106a）小的第3金属氧化物（106c）构成，第2电阻变化层（1062）由氧不足度比第1金属氧化物（106a）小的第2金属氧化物（106b）构成。

摘要： 本发明的非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(105)；和电阻变化层(104)，其位于第一电极(103)与第二电极(105)之间，电阻值根据施加在两个电极(103、105)之间的电信号可逆地变化，该电阻变化层(104)由含有第一钽氧化物的第一钽氧化物层(107)和含有含氧率与第一钽氧化物不同的第二钽氧化物的第二钽氧化物层(108)层叠构成，并且当将第一钽氧化物表示为TaOx时满足0＜x＜2.5，当将第二钽氧化物表示为TaOy时满足x＜y≤2.5，第二电极(105)与第二钽氧化物层(108)接触，并且第二电极(105)由铂和钽构成。

摘要： 工艺较简单、能够制造具有稳定的存储性能的非易失性存储装置的制造方法包括：在基板（11）上交替地层叠含有过渡金属的多个导电层（13）和由绝缘材料构成的多个层间绝缘膜（17）而形成层叠构造体的工序；形成将上述层叠构造体贯通且使导电层（13）的一部分露出的接触孔的工序；将导电层（13）的露出在上述接触孔中的部分氧化、形成电阻值基于施加的电信号可逆地变化的电阻变化层（14）的工序；以及在上述接触孔中埋入导电材料、在上述接触孔中形成与电阻变化层（14）连接的柱状电极（12）的工序。