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新型小分子液晶有机蒙脱土的制备与表征

         

摘要

运用自制的两种新型小分子液晶插层剂对蒙脱土进行有机化修饰,并用IR,XRD,TG及TEM等对有机蒙脱土结构和性能进行了表征与分析.结果表明:有机蒙脱土的层间距由1.00nm分别增大到2.50 nm和2.88 nm,且能分散均匀,排列疏松,耐热性能也有了显著提高.

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