氧化镍氧传感器的研究

摘要

NiO是一种由金属缺位而形成的P型半导体,在较高的温度下（600℃以上）,NiO材料的电阻率与氧分压有关,而且杂质对其性能影响很大。掺入一价杂质（Li2O）,材料电阻率降低,氧分压对其影响减弱;掺入三价杂质（Al2O3）,材料电阻率增高,氧分压对其影响加强。据此,我们做出了直热式烧结型氧传感器,并将其用于气相色谱仪中,测量高纯气体（N2,Ar）中微量氧,还制备了 Ni1-xMgOx材料的氧传感器,降低了还原性气体对测氧的干扰。