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刘威; 李竹新; 王俊洁; 石增良;
东南大学生物科学与医学工程学院 生物电子学国家重点实验 江苏 南京 210096;
ZnO纳米棒阵列; Er3+掺杂; 缺陷调控; 电致发光器件;
机译:夹有ZnO薄膜的ZnO纳米棒/ p-GaN发光二极管的电致发光性能的改善
机译:n-ZnO / Ga2O3 / p-GaN异质结发光二极管的电致发光性能的改善
机译:通过优化AlN势垒层提高n-ZnO / AlN / p-GaN发光二极管的电致发光性能
机译:掺杂n-Mn的ZnO / n-GaN异质结发光二极管的电致发光
机译:开发用于可见光激光器和发光二极管的宽带隙II-VI材料。 A. ZnMgCdSe结构的双极掺杂和电致发光。 B.六角形ZnSe基结构
机译:退火的ZnO / GaN异质结发光二极管的电致发光起源
机译:通过调整量子阱相对于InGaN / GaN多量子阱发光二极管中p掺杂区的位置来改善电致发光性能
机译:硅掺杂的砷化镓锑化物电致发光二极管发射至1.06微米。
机译:基于N-ZNO / N-GAN / N-ZNO异质结的双向紫外发光二极管及其制备方法
机译:使用掺杂镓的ZnO膜作为电极的GaN LED及其制造方法
机译:ZNO ZNO工艺,用于在基于III氮化物的发光二极管上沉积表观ZNO,以及包含表观ZNO的发光二极管
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