不同偏压下Zn1-xCdxSe-ZnSe超晶格室温电调制反射谱研究

于广辉; 范希武; 关郑平; 杨春雷; 张吉英; 申德振; 胡德宝

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首次研究了在室温和不同直流偏压下Zn1-xCdxSe-ZnSe超晶格结构的电调制反射谱(ER)的变化.当器件处于弱场范围时,随着电场的增加,ER谱的信号幅度增加,而线型不变;在强场区,随着电场的增加,ER谱的线型发生变化,激子跃迁能量红移,继续增加反向偏压出现来自于1c-2hh的禁戒跃迁,且其强度随反向偏压的增加迅速增加.不同偏压下组合超晶格结构的ER谱研究表明,势垒高度较低的超晶格结构中的激子较易受到电场的调制.

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来源
《发光学报》 |2000年第1期|1-5|共5页
作者
于广辉; 范希武; 关郑平; 杨春雷; 张吉英; 申德振; 胡德宝;
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作者单位

中国科学院长春物理研究所,吉林,长春,130021;

中国科学院长春物理研究所,吉林,长春,130021;

中国科学院长春物理研究所,吉林,长春,130021;

中国科学院长春物理研究所,吉林,长春,130021;

中国科学院长春物理研究所,吉林,长春,130021;

中国科学院长春物理研究所,吉林,长春,130021;

吉林大学,电子工程系,吉林,长春,130023;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 O484.41;
关键词
Zn1-xCdxSe-ZnSe超晶格; 电调制反射谱; 电光调制;

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