掺杂与Al组分对AlGaInP四元系LED发光效率的影响

摘要

在AlGaInP四元系双异质结发光二极管(DH-LED)的材料生长过程中,限制层的Al组分与p型掺杂浓度的确定有较大的随意性,这对LED的发光不利.通过分析载流子在发光二极管(LED)双异质结中的输运情况,得到了在不同的p型掺杂程度下,限制层Al组分与LED发光效率的关系,从而可以探索p型掺杂与Al组分对发光效率影响的规律,得到的结论对于LED的器件结构设计以及MOCVD材料生长有一定的指导意义.