用液相外延技术制备单异质结AlGaAs/InGaP红色发光LED

摘要

采用超冷技术的液相外延方法在 n-型GaAs 衬底上生长了高质量掺 Te 的 Al0.7Ga0.3As/掺 Mg 的 ln0.5Ga0.5P 单异质结发光二极管。详细地介绍了未掺杂及 Mg 和Zn 掺杂的 ln0.5Ga0.5P 层的生长条件和特性。当 Mg 掺杂层中的空穴浓度为1×1018cm-3时光致发光强度最高。用电子束诱导电流,电流—电压测量,电致发光,光输出功率和外量子效率等评价了用异质结制备的二极管的特性。适当地控制 Mg 掺杂 ln0.5Ga0.5P 有源层的空穴浓度和 Te 掺杂 Al0.7Ga0.3As 窗口层的电子浓度,可使 p—n 结准确地定位在金属结上,p—n 结的定位由电子束诱导电流技术测量。通过电流—电压测量,获得了理想系数为1.65的1.5V 正向导通电压和高于20V 的击穿电压。在20mA 时, 发射峰值波长和电致发光光谱峰值和半最大值时的全宽度分别为6650和250（?）。用100mA DC 驱动时,未封装二极管的光输出功率达150μW,外量子效率为0.085％-0.10％。