宽带半导体InGaN的生长及特性

摘要

有宽带隙能量的四元半导体 InGaAsN 是一种Ⅲ—Ⅴ族材料,可被用于制备蓝色发光器件。它包括具有纤锌矿结构的InN,GaN和 AIN。其宽带隙能量可以在2.0—6.2eV之间选择。这种材料用于发光二极管是非常理想的,特别是用于激光二极管。也就是说,由于晶格常数固定时宽带隙能量会产生